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MASTERGAN1

Name: STMicroelectronics MASTERGAN1
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-MASTERGAN1
Price: 6.21 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

511-MASTERGAN1

Herst.- Nr.:

MASTERGAN1

Herst.:

STMicroelectronics

Beschreibung:

Gate-Treiber High power density 600V half-bridge driver with two enhancement mode GaN HEMTs

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Datenblatt:

MASTERGAN1 Datenblatt (PDF)

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	CHF 6.21	CHF 6.21
	CHF 4.79	CHF 47.90
	CHF 4.43	CHF 110.75
	CHF 4.04	CHF 404.00
	CHF 3.73	CHF 932.50
	CHF 3.62	CHF 3’620.00
	CHF 3.45	CHF 8’625.00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	STMicroelectronics
Produktkategorie:	Gate-Treiber
RoHS:
Produkt:	Half-Bridge Drivers
Typ:	High-Side, Low-Side
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	QFN-31
Anzahl der Treiber:	2 Driver
Anzahl der Ausgänge:	1 Output
Ausgangsstrom:	10 A
Versorgungsspannung - Min.:	4.75 V
Versorgungsspannung - Max.:	9.5 V
Minimale Betriebstemperatur:	- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 125 C
Serie:	MASTERGAN
Verpackung:	Tray
Marke:	STMicroelectronics
Entwicklungs-Kit:	EVALMASTERGAN1
Feuchtigkeitsempfindlich:	Yes
Betriebsversorgungsstrom:	680 uA
Produkt-Typ:	Gate Drivers
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	330 mOhms
Abschaltung:	Shutdown
Verpackung ab Werk:	1560
Unterkategorie:	PMIC - Power Management ICs
Gewicht pro Stück:	120 mg

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Datenblatt

MASTERGAN1 Datenblatt (PDF)

PCN

Konformitätscodes

CNHTS:: 8542399000
USHTS:: 8542390090
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: Thailand
Herstellungsland:: Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:: Nicht lieferbar

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

MASTERGAN GaN-Halbbrücken-Hochspannungstreiber

Die MASTERGAN GaN-Halbbrücken-Hochspannungstreiber von STMicroelectronics implementieren eine Stromversorgung mit hoher Leistungsdichte durch die Integration sowohl eines Gate-Treibers als auch zweier GaN-Transistoren im Anreicherungsmodus in einer Halbbrückenkonfiguration. Die integrierten Leistungs-GaNs verfügen über einen R_DS(ON) von 150 mΩ und Drain-Source-Durchschlagspannung von 650 V. Die integrierte Bootstrap-Diode kann die High-Seite des integrierten Gate-Treibers schnell versorgen.