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MASTERGAN1LTR

Name: STMicroelectronics MASTERGAN1LTR
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-MASTERGAN1LTR
Price: 6.43 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

511-MASTERGAN1LTR

Herst.- Nr.:

MASTERGAN1LTR

Herst.:

STMicroelectronics

Beschreibung:

Gate-Treiber 600 V half-bridge enhancement mode GaN HEMT with high voltage driver

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Datenblatt:

MASTERGAN1LTR Datenblatt (PDF)

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	CHF 6.43	CHF 6.43
	CHF 4.95	CHF 49.50
	CHF 4.58	CHF 114.50
	CHF 4.18	CHF 418.00
	CHF 3.87	CHF 967.50
	CHF 3.75	CHF 3’750.00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)
	CHF 3.57	CHF 10’710.00

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	STMicroelectronics
Produktkategorie:	Gate-Treiber
RoHS:
Typ:	Half-Bridge
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	QFN-31
Anzahl der Ausgänge:	4 Output
Ausgangsstrom:	17 A
Versorgungsspannung - Min.:	4.75 V
Versorgungsspannung - Max.:	9.5 V
Konfiguration:	Non-Inverting
Minimale Betriebstemperatur:	- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 125 C
Serie:	MASTERGAN
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Marke:	STMicroelectronics
Maximale Abschaltverzögerungszeit:	45 ns
Maximale Anschaltverzögerungszeit:	45 ns
Feuchtigkeitsempfindlich:	Yes
Betriebsversorgungsstrom:	10 A
Pd - Verlustleistung:	40 mW
Produkt-Typ:	Gate Drivers
Verzögerungszeit - Max.:	70 ns
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	330 mOhms
Abschaltung:	Shutdown
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	PMIC - Power Management ICs
Technologie:	GaN

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PCN

Product Change Notification 2026-3-20 (PDF)

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Konformitätscodes

CNHTS:: 8542399000
CAHTS:: 8542390000
USHTS:: 8542390090
MXHTS:: 8542399999
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: Thailand
Herstellungsland:: Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:: Nicht lieferbar

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

MASTERGAN GaN-Halbbrücken-Hochspannungstreiber

Die MASTERGAN GaN-Halbbrücken-Hochspannungstreiber von STMicroelectronics implementieren eine Stromversorgung mit hoher Leistungsdichte durch die Integration sowohl eines Gate-Treibers als auch zweier GaN-Transistoren im Anreicherungsmodus in einer Halbbrückenkonfiguration. Die integrierten Leistungs-GaNs verfügen über einen R_DS(ON) von 150 mΩ und Drain-Source-Durchschlagspannung von 650 V. Die integrierte Bootstrap-Diode kann die High-Seite des integrierten Gate-Treibers schnell versorgen.