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MASTERGAN2

Name: STMicroelectronics MASTERGAN2
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-MASTERGAN2
Price: 8 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

511-MASTERGAN2

Herst.- Nr.:

MASTERGAN2

Herst.:

STMicroelectronics

Beschreibung:

Gate-Treiber High power density 600V Half bridge driver with two enhancement mode GaN HEMTs

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Datenblatt:

MASTERGAN2 Datenblatt (PDF)

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	CHF 6.21	CHF 62.10
	CHF 5.77	CHF 144.25
	CHF 5.29	CHF 529.00
	CHF 5.02	CHF 1’255.00
	CHF 4.91	CHF 2’455.00
	CHF 4.79	CHF 4’790.00
2’500	Kostenvoranschlag

Alternativverpackung

Herst. Teilenr.:

MASTERGAN2TR

Verpackung:

Reel, Cut Tape, MouseReel

Verfügbarkeit:

Auf Lager

Preis:

CHF 5.75

Min:

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	STMicroelectronics
Produktkategorie:	Gate-Treiber
RoHS:
Produkt:	Half-Bridge Drivers
Typ:	High-Side, Low-Side
Montageart:	SMD/SMT
Anzahl der Treiber:	2 Driver
Anzahl der Ausgänge:	1 Output
Ausgangsstrom:	10 A
Versorgungsspannung - Min.:	3.3 V
Versorgungsspannung - Max.:	15 V
Minimale Betriebstemperatur:	- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 125 C
Serie:	MASTERGAN
Verpackung:	Tray
Marke:	STMicroelectronics
Feuchtigkeitsempfindlich:	Yes
Produkt-Typ:	Gate Drivers
Verpackung ab Werk:	1560
Unterkategorie:	PMIC - Power Management ICs
Gewicht pro Stück:	150 mg

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Datenblatt

MASTERGAN2 Datenblatt (PDF)

PCN

Konformitätscodes

CNHTS:: 8542399000
USHTS:: 8542390090
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: Thailand
Herstellungsland:: Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:: Nicht lieferbar

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

MASTERGAN GaN-Halbbrücken-Hochspannungstreiber

Die MASTERGAN GaN-Halbbrücken-Hochspannungstreiber von STMicroelectronics implementieren eine Stromversorgung mit hoher Leistungsdichte durch die Integration sowohl eines Gate-Treibers als auch zweier GaN-Transistoren im Anreicherungsmodus in einer Halbbrückenkonfiguration. Die integrierten Leistungs-GaNs verfügen über einen R_DS(ON) von 150 mΩ und Drain-Source-Durchschlagspannung von 650 V. Die integrierte Bootstrap-Diode kann die High-Seite des integrierten Gate-Treibers schnell versorgen.