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MASTERGAN7TR

Name: STMicroelectronics MASTERGAN7TR
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-MASTERGAN7TR
Price: 5.51 CHF
Availability: OutOfStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

511-MASTERGAN7TR

Herst.- Nr.:

MASTERGAN7TR

Herst.:

STMicroelectronics

Beschreibung:

Gate-Treiber 650 V enhancement mode GaN High power density half-bridge with high voltage driver

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Datenblatt:

MASTERGAN7TR Datenblatt (PDF)

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Cut-Tape

MouseReel™ (+CHF 7.00)

Preis (CHF)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	CHF 5.51	CHF 5.51
	CHF 4.22	CHF 42.20
	CHF 3.90	CHF 97.50
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)
	CHF 3.90	CHF 11’700.00

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von CHF 7.00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	STMicroelectronics
Produktkategorie:	Gate-Treiber
RoHS:
Typ:	Half-Bridge
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	QFN-35
Anzahl der Treiber:	2 Driver
Versorgungsspannung - Min.:	9 V
Versorgungsspannung - Max.:	18 V
Abfallzeit:	5 ns
Minimale Betriebstemperatur:	- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 125 C
Serie:	MASTERGAN7
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	STMicroelectronics
Eingangsspannung – Max:	18 V
Eingangsspannung – Min:	9 V
Feuchtigkeitsempfindlich:	Yes
Produkt-Typ:	Gate Drivers
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	PMIC - Power Management ICs
Gewicht pro Stück:	150 mg

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Datenblatt

MASTERGAN7TR Datenblatt (PDF)

Konformitätscodes

USHTS:: 8542390090
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: Singapur
Herstellungsland:: Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:: Nicht lieferbar

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

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Die MASTERGAN GaN-Halbbrücken-Hochspannungstreiber von STMicroelectronics implementieren eine Stromversorgung mit hoher Leistungsdichte durch die Integration sowohl eines Gate-Treibers als auch zweier GaN-Transistoren im Anreicherungsmodus in einer Halbbrückenkonfiguration. Die integrierten Leistungs-GaNs verfügen über einen R_DS(ON) von 150 mΩ und Drain-Source-Durchschlagspannung von 650 V. Die integrierte Bootstrap-Diode kann die High-Seite des integrierten Gate-Treibers schnell versorgen.