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RF5L15120CB4

Name: STMicroelectronics RF5L15120CB4
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-RF5L15120CB4
Price: 156.05 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

511-RF5L15120CB4

Herst.- Nr.:

RF5L15120CB4

Herst.:

STMicroelectronics

Beschreibung:

MOSFET HF-Transistoren 120 W 50 V RF power LDMOS transistor from HF to 1.5 GHz

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Lebenszyklus:

NRND:

Nicht empfohlen für neue Designs.

Datenblatt:

RF5L15120CB4 Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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Preis (CHF)

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	CHF 156.05	CHF 156.05
	CHF 127.22	CHF 1'272.20
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 100)
	CHF 125.23	CHF 12'523.00
500	Kostenvoranschlag

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von CHF 7.00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	STMicroelectronics
Produktkategorie:	MOSFET HF-Transistoren
RoHS:
Transistorpolung:	Dual N-Channel
Technologie:	Si
Id - Drain-Gleichstrom:	2.5 A
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	95 V
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	1 Ohms
Betriebsfrequenz:	1 GHz
Verstärkung:	20 dB
Ausgangsleistung:	120 W
Maximale Betriebstemperatur:	+ 200 C
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	LBB-5
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	STMicroelectronics
Feuchtigkeitsempfindlich:	Yes
Anzahl der Kanäle:	2 Channel
Produkt-Typ:	RF MOSFET Transistors
Verpackung ab Werk:	100
Unterkategorie:	MOSFETs
Typ:	RF Power MOSFET
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 8 V, + 10 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	2.8 V

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Datenblatt

RF5L15120CB4 Datenblatt (PDF)

EOL

Product Discontinuation Notification_2024_07_22 (PDF)

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CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290055
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

RF5L15120CB4 LDMOS-HF-Leistungstransistor

Der RF5L15120CB4 LDMOS-HF-Leistungstransistor von STMicroelectronics verfügt über einen hohen Wirkungsgrad und lineare Gain-Betriebsabläufe. Der RF5L15120CB4 120-W-LDMOS-FET bietet einen signifikanten positiven und negativen Gate-/Source-Spannungsbereich. Das Bauteil kann in Klasse AB/B oder Klasse C für alle typischen Modulationsformate verwendet werden.