STB120N4F6

STMicroelectronics
511-STB120N4F6
STB120N4F6

Herst.:

Beschreibung:
MOSFETs N-Ch 40V 4mOhm 80A STripFET VI DeepGATE

ECAD Model:
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CHF 1.61 CHF 16.10
CHF 1.11 CHF 111.00
CHF 0.896 CHF 448.00
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CHF 0.801 CHF 1’602.00
CHF 0.785 CHF 3’925.00
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STMicroelectronics
Produktkategorie: MOSFETs
RoHS:  
Si
SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
N-Channel
1 Channel
40 V
80 A
4 mOhms
- 20 V, 20 V
4 V
65 nC
- 55 C
+ 175 C
110 W
Enhancement
AEC-Q100
STripFET
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marke: STMicroelectronics
Konfiguration: Single
Produkt-Typ: MOSFETs
Serie: STB120N4F6
Verpackung ab Werk: 1000
Unterkategorie: Transistors
Transistorart: 1 N-Channel
Gewicht pro Stück: 4 g
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Ausgewählte Attribute: 0

Konformitätscodes
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
Ursprungsklassifikationen
Ursprungsland:
China
Herstellungsland:
Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:
Nicht lieferbar
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AEC-Q101-qualifizierte STripFET-Leistungs-MOSFETs

STMicroelectronics AEC-Q101-qualifizierte STripFET Leistungs-MOSFETs nutzen die proprietäre Trench-basierte Niederspannungstechnologie von ST, um extrem geringe Leitungsverluste zu erzielen. Diese Leistungs-MOSFETs reduzieren den Energieverlust für elektrische Antriebe, sorgen für einen höheren Wirkungsgrad und eignen sich dadurch für eine große Auswahl von Applikationen. Diese Bauteile sind in TO-252- und TO-263-Industriestandard-SMD-Gehäusen mit RDS(on)-Bereichen von 3 mΩ bis 12,5 mΩ untergebracht und bieten eine gute Leistung in den meisten Niederspannungs-Fahrzeuganwendungen. Diese Produktreihe bietet sowohl Standard- als auch Logikpegel-Schwellwerte.

STripFET™ Leistungs-MOSFETs

Diese STripFET™ Leistungs-MOSFETs sind Enhancement-Mode-MOSFETs, die von den neuesten Verbesserungen der STMicroelectronics proprietären STripFET™-Technologie mit neuer Gate-Struktur profitieren. Das Resultat ist ein STripFET™ Leistungs-MOSFET mit hoher Stromfähigkeit und niedrigem RDS(on) für Schaltanwendungen im industriellen und Automobilbereich wie für Motorsteuerung, USV, DC-DC-Wandler, induktionsbetriebene Verdampfer und Solaranwendungen. STMicroelectronics STripFET™ Leistungs-MOSFETs haben eine sehr geringe Schalt-Gate-Ladung, hohe Avalanche-Beständigkeit, niedrige Gate-Treiber-Leistungsverluste und eine hohe Leistungsdichte. Diese STripFET™ Leistungs-MOSFETs zählen zu den Leistungs-MOSFETs im Bereich 30V–150V mit dem branchenweit niedrigsten RDS(on).
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