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STB120N4LF6

Name: STMicroelectronics STB120N4LF6
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STB120N4LF6
Price: 2.32 CHF
Availability: OutOfStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

511-STB120N4LF6

Herst.- Nr.:

STB120N4LF6

Herst.:

STMicroelectronics

Beschreibung:

MOSFETs N-Ch 40V 3.1 Ohm STripFET VI DeepGATE

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Datenblatt:

STB120N4LF6 Datenblatt (PDF)

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Cut-Tape

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Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	CHF 2.32	CHF 2.32
	CHF 1.50	CHF 15.00
	CHF 1.04	CHF 104.00
	CHF 0.883	CHF 441.50
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 1000)
	CHF 0.755	CHF 755.00

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von CHF 7.00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	STMicroelectronics
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	D2PAK-3 (TO-263-3)
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	40 V
Id - Drain-Gleichstrom:	80 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	4 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	2.5 V
Qg - Gate-Ladung:	80 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	110 W
Kanalmodus:	Enhancement
Qualifikation:	AEC-Q100
Handelsname:	STripFET
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	STMicroelectronics
Konfiguration:	Single
Produkt-Typ:	MOSFETs
Serie:	STB120N4LF6
Verpackung ab Werk:	1000
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Gewicht pro Stück:	4 g

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Datenblatt

STB120N4LF6 Datenblatt (PDF)

PCN

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541210000
MXHTS:: 85412101
ECCN:: EAR99

AEC-Q101-qualifizierte STripFET-Leistungs-MOSFETs

STMicroelectronics AEC-Q101-qualifizierte STripFET Leistungs-MOSFETs nutzen die proprietäre Trench-basierte Niederspannungstechnologie von ST, um extrem geringe Leitungsverluste zu erzielen. Diese Leistungs-MOSFETs reduzieren den Energieverlust für elektrische Antriebe, sorgen für einen höheren Wirkungsgrad und eignen sich dadurch für eine große Auswahl von Applikationen. Diese Bauteile sind in TO-252- und TO-263-Industriestandard-SMD-Gehäusen mit R_DS(on)-Bereichen von 3 mΩ bis 12,5 mΩ untergebracht und bieten eine gute Leistung in den meisten Niederspannungs-Fahrzeuganwendungen. Diese Produktreihe bietet sowohl Standard- als auch Logikpegel-Schwellwerte.

STripFET™ Leistungs-MOSFETs

Diese STripFET™ Leistungs-MOSFETs sind Enhancement-Mode-MOSFETs, die von den neuesten Verbesserungen der STMicroelectronics proprietären STripFET™-Technologie mit neuer Gate-Struktur profitieren. Das Resultat ist ein STripFET™ Leistungs-MOSFET mit hoher Stromfähigkeit und niedrigem R_DS(on) für Schaltanwendungen im industriellen und Automobilbereich wie für Motorsteuerung, USV, DC-DC-Wandler, induktionsbetriebene Verdampfer und Solaranwendungen. STMicroelectronics STripFET™ Leistungs-MOSFETs haben eine sehr geringe Schalt-Gate-Ladung, hohe Avalanche-Beständigkeit, niedrige Gate-Treiber-Leistungsverluste und eine hohe Leistungsdichte. Diese STripFET™ Leistungs-MOSFETs zählen zu den Leistungs-MOSFETs im Bereich 30V–150V mit dem branchenweit niedrigsten R_DS(on).
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