STB18N60M6

STMicroelectronics
511-STB18N60M6
STB18N60M6

Herst.:

Beschreibung:
MOSFETs N-channel 600 V, 230 mOhm typ., 13 A MDmesh M6 Power MOSFET in a D2PAK package

ECAD Model:
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CHF 1.64 CHF 16.40
CHF 1.20 CHF 120.00
CHF 0.977 CHF 488.50
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CHF 0.872 CHF 1’744.00
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STMicroelectronics
Produktkategorie: MOSFETs
RoHS:  
Si
SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
N-Channel
1 Channel
600 V
13 A
280 mOhms
- 25 V, 25 V
3.25 V
16.8 nC
- 55 C
+ 150 C
110 W
Enhancement
MDmesh
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marke: STMicroelectronics
Konfiguration: Single
Land der Bestückung: Not Available
Land der Verbreitung: Not Available
Ursprungsland: CN
Abfallzeit: 9 ns
Produkt-Typ: MOSFETs
Anstiegszeit: 7 ns
Serie: Mdmesh M6
Verpackung ab Werk: 1000
Unterkategorie: Transistors
Transistorart: 1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit: 28 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit: 16 ns
Gewicht pro Stück: 1.380 g
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Ausgewählte Attribute: 0

CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99

MDmesh™ M6-MOSFETs

STMicroelectronics MDmesh™ M6-MOSFETs kombinieren eine niedrige Gate-Ladung (Qg) mit einem optimierten Kapazitätsprofil, um einen hohen Wirkungsgrad auf neuen Topologien in Leistungsumwandlungsapplikationen zu ermöglichen. Die Super-Junction MDmesh™ M6-Baureihe bietet ein Betriebsverhalten mit hohem Wirkungsgrad, wodurch eine erhöhte Leistungsdichte und eine niedrige Gate-Ladung für den Betrieb bei hohen Frequenzen erzielt wird. Die MOSFETs der M6-Baureihe verfügen über eine Durchschlagspannung von 600 bis 700 V und sind in einer großen Auswahl von Gehäuseoptionen erhältlich. Dazu gehören eine TO-Leadless-(TO-LL)-Gehäuselösung, die ein effizientes Wärmemanagement ermöglicht. Die Bauteile umfassen eine große Auswahl von Betriebsspannungen für Industrieapplikationen, einschließlich Ladegeräte, Adapter, Silver-Box-Module, LED-Beleuchtung, Telekommunikation, Server und Solarapplikationen.