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STB18NM60ND

Name: STMicroelectronics STB18NM60ND
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STB18NM60ND
Price: 2.26 CHF
Availability: OutOfStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

511-STB18NM60ND

Herst.- Nr.:

STB18NM60ND

Herst.:

STMicroelectronics

Beschreibung:

MOSFETs N-CH 600V 0.25Ohm 13A FDmesh II

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Datenblatt:

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STMicroelectronics

Herst.- Nr.:

STB24N60DM2

Beschreibung:

MOSFETs N-channel 600 V, 0.175 Ohm typ., 18 A MDmesh DM2 Power MOSFET in D2PAK package

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Hersteller:	STMicroelectronics
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	D2PAK-3 (TO-263-3)
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	650 V
Id - Drain-Gleichstrom:	13 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	290 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 25 V, 25 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	4 V
Qg - Gate-Ladung:	34 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	130 W
Verpackung:	Reel
Marke:	STMicroelectronics
Konfiguration:	Single
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	CN
Abfallzeit:	18 ns
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	15.5 ns
Serie:	STB18NM60ND
Verpackung ab Werk:	1000
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	13 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	55 ns
Gewicht pro Stück:	4 g