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STB24N60M2

Name: STMicroelectronics STB24N60M2
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STB24N60M2
Price: 2.86 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

511-STB24N60M2

Herst.- Nr.:

STB24N60M2

Herst.:

STMicroelectronics

Beschreibung:

MOSFETs N-Ch 600V 0.168Ohm 18A MDmesh M2

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Datenblatt:

STB24N60M2 Datenblatt (PDF)

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Cut-Tape

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Preis (CHF)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	CHF 2.86	CHF 2.86
	CHF 1.87	CHF 18.70
	CHF 1.31	CHF 131.00
	CHF 1.14	CHF 570.00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 1000)
	CHF 0.999	CHF 999.00
	CHF 0.98	CHF 1'960.00
	CHF 0.97	CHF 4'850.00

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von CHF 7.00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	STMicroelectronics
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	D2PAK-3 (TO-263-3)
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	600 V
Id - Drain-Gleichstrom:	18 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	190 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 25 V, 25 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	4 V
Qg - Gate-Ladung:	29 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	150 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	MDmesh
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	STMicroelectronics
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	61 ns
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	9 ns
Serie:	STB24N60M2
Verpackung ab Werk:	1000
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	15 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	14 ns
Gewicht pro Stück:	4 g

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Datenblatt

STB24N60M2 Datenblatt (PDF)

PCN

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

Neueste Technologien in Leistungs-MOSFETs und IGBTs

STMicroelectronics bietet die neuesten Technologien in Leistungs-MOSFETs und IGBTs. ST bietet ein großes Portfolio an MOSFETS und IGBTs an, die auf ihre spezifische Applikation zugeschnitten ist und für SNT-, Beleuchtungs-, Motorsteuerungs- und verschiedene Industrieapplikationen ausgelegt sind. Das Portfolio von ST umfasst Hochspannungs-Super-Junction-MOSFETs und Trench-Gate-Field-Stop-IGBTs für harte und weiche Schalttopologien und Trench-basierte Niederspannungs-MOSFETs für die Leistungsumwandlung und BLDC-Motorantriebe. Die neuesten 1.200-V-SiC-MOSFETs von ST vereinen die branchenweit höchste Sperrschichttemperatur von 200 °C mit einem sehr niedrigen RDS(on)-Bereich (mit minimaler Veränderung gegenüber Temperatur) und einer ausgezeichneten Schaltleistung für effizientere und kompakte SNT-Designs. Für die Motorsteuerung bieten die IGBTs der M-Baureihe einen optimierten Kompromiss von VCE(SAT) und E(off) zusammen mit einer robusten Kurzschlussbeständigkeit. Entdecken Sie das komplette Angebot von ST an MOSFETs und IGBTs für SNT-Designs.

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Die Standardprodukte von STMikroelectronics sind eine große Auswahl von Industriestandard- und Drop-In-Ersatzteilen für die gängisten Universal-Analog-ICs, diskreten und seriellen EEPROMs. Die Standardprodukte werden nach den höchsten Qualitätsstandards hergestellt und viele davon sind für Automotive-Applikationen AECQ-qualifiziert. Eine umfassende Palette von Design-Hilfsmitteln, darunter SPICE, IBIS-Modelle und Simulations-Tools, sind verfügbar, um das Hinzufügen zu einem Design-in zu vereinfachen.

MDmesh™ II Leistungs-MOSFETs

STMicroelectronics MDmesh™ II Leistungs-MOSFETs verbinden eine vertikale Struktur mit STMs Streifenlayout für eines der branchenweit niedrigsten Niveaus an On-Widerstand und Gate-Ladung, wodurch die Komponenten den höchsten Ansprüchen von Wandlern mit hohem Wirkungsgrad gerecht werden. Diese MDmesh™ II Leistungs-MOSFETs sind vollständig isoliert und in einem Niedrigprofilgehäuse mit erhöhtem Kriechstrom vom Pin zur Kühlkörperplatte untergebracht. Sie sind zu 100% Avalanche-getestet und bieten niedrige Eingangskapazität, Gate-Ladung und Gate-Eingangswiderstand.
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