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STDRIVEG211Q

Name: STMicroelectronics STDRIVEG211Q
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STDRIVEG211Q
Price: 2.39 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

511-STDRIVEG211Q

Herst.- Nr.:

STDRIVEG211Q

Herst.:

STMicroelectronics

Beschreibung:

Gate-Treiber High voltage and high-speed half-bridge gate driver for GaN power switches 220V

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Datenblatt:

STDRIVEG211Q Datenblatt (PDF)

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	CHF 1.78	CHF 17.80
	CHF 1.62	CHF 40.50
	CHF 1.46	CHF 146.00
	CHF 1.38	CHF 345.00
	CHF 1.35	CHF 661.50
	CHF 1.27	CHF 1’244.60
	CHF 1.24	CHF 3’645.60
	CHF 1.22	CHF 6’575.80

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	STMicroelectronics
Produktkategorie:	Gate-Treiber
RoHS:
Produkt:	Gate Drivers
Typ:	Half-Bridge
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	QFN-18
Anzahl der Treiber:	2 Driver
Anzahl der Ausgänge:	3 Output
Ausgangsstrom:	1 A, 2.4 A
Versorgungsspannung - Min.:	3.3 V
Versorgungsspannung - Max.:	20 V
Konfiguration:	Inverting
Anstiegszeit:	22 ns
Abfallzeit:	11 ns
Minimale Betriebstemperatur:	- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 125 C
Verpackung:	Tray
Marke:	STMicroelectronics
Entwicklungs-Kit:	EVLSTDRIVEG611
Feuchtigkeitsempfindlich:	Yes
Betriebsversorgungsstrom:	1.02 nA
Ausgangsspannung:	220 V
Produkt-Typ:	Gate Drivers
Verzögerungszeit - Max.:	60 ns
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	7 Ohms
Abschaltung:	Shutdown
Verpackung ab Werk:	490
Unterkategorie:	PMIC - Power Management ICs
Technologie:	GaN

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STDRIVEG211Q Datenblatt (PDF)

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Konformitätscodes

USHTS:: 8542390090
MXHTS:: 8542399999
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: Thailand
Herstellungsland:: Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:: Nicht lieferbar

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

STDRIVEG600 Halbbrücken-Gate-Treiber

Der STMicroelectronics STDRIVEG600-Halbbrücken-Gate-Treiber ist ein Einzelchip-Halbbrücken-gate-Treiber für GaN (Galliumnitrid) eHEMTs (Anreicherungstyp-High-Electron-Mobility-Transistoren) oder n-Kanal-Leistungs-MOSFETs. Die high-side des STDRIVEG600 ist so konzipiert, dass sie Spannungen von bis zu 600 V widersteht und für Designs mit einer Busspannung von bis zu 500 V geeignet. Dieses Bauteil eignet sich aufgrund seiner hohen Strombelastbarkeit, kurzen Laufzeitverzögerungen und des Betriebs mit einer Versorgungsspannung bis hinunter zu 5 V hervorragend für den Antrieb von Hochgeschwindigkeits-GaN- und Silizium-FETs.

STDRIVEG211n Halbbrücken Gate-Treiber

Die Halbbrücken-Gate-Treiber STDRIVEG211 von STMicroelectronics sind für N-Kanal-Enhancement-Mode-GaN ausgelegt. Der High-Side-Treiberabschnitt hält einer Spannungsschiene von bis zu 220 V stand. Diese Treiber zeichnen sich durch eine hohe Strombelastbarkeit, kurze Laufzeitverzögerungen mit hervorragender Verzögerungsanpassung sowie integrierte LDOs aus. Dadurch sind sie für die Ansteuerung von Hochgeschwindigkeits-GaN optimiert. Die Halbbrücken-Gate-Treiber der Baureihe STDRIVEG211 verfügen über Versorgungs-UVLOs, die speziell auf Hard-Switching-Applikationen zugeschnitten sind, eine Verriegelung zur Vermeidung von Durchschaltbedingungen sowie einen Überstromkomparator mit SmartSD. Diese Treiber bieten einen erweiterten Bereich für Eingangspins, der eine einfache Anbindung an Controller ermöglicht. Ein Standby-Pin ermöglicht die Reduzierung des Stromverbrauchs während inaktiver Phasen oder im Burst-Modus. Zu den Applikationen zählen Solar-Micro-Umrichter, Audioverstärker der Klasse D, E-Bikes, LED-Beleuchtung, USB-C, Elektrowerkzeuge und Roboter.