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STDRIVEG600

Name: STMicroelectronics STDRIVEG600
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STDRIVEG600
Price: 4.04 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

511-STDRIVEG600

Herst.- Nr.:

STDRIVEG600

Herst.:

STMicroelectronics

Beschreibung:

Gate-Treiber High voltage half-bridge gate driver for GaN transistors

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Datenblatt:

STDRIVEG600 Datenblatt (PDF)

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	CHF 4.04	CHF 4.04
	CHF 3.16	CHF 31.60
	CHF 2.78	CHF 69.50
	CHF 2.64	CHF 264.00
	CHF 2.52	CHF 630.00
	CHF 2.44	CHF 1'220.00
	CHF 2.31	CHF 2'310.00
	CHF 2.22	CHF 4'440.00

Alternativverpackung

Herst. Teilenr.:

STDRIVEG600TR

Verpackung:

Reel, Cut Tape, MouseReel

Verfügbarkeit:

Auf Lager

Preis:

CHF 3.30

Min:

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	STMicroelectronics
Produktkategorie:	Gate-Treiber
RoHS:
Produkt:	Half-Bridge Drivers
Typ:	High-Side, Low-Side
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	SOIC-16
Anzahl der Treiber:	2 Driver
Anzahl der Ausgänge:	1 Output
Ausgangsstrom:	5.5 A, 6 A
Versorgungsspannung - Min.:	4.75 V
Versorgungsspannung - Max.:	20 V
Anstiegszeit:	7 ns
Abfallzeit:	5 ns
Minimale Betriebstemperatur:	- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 125 C
Verpackung:	Tube
Marke:	STMicroelectronics
Logiktyp:	CMOS, TTL
Feuchtigkeitsempfindlich:	Yes
Ausgangsspannung:	520 V
Produkt-Typ:	Gate Drivers
Verpackung ab Werk:	1000
Unterkategorie:	PMIC - Power Management ICs
Technologie:	GaN

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Datenblatt

STDRIVEG600 Datenblatt (PDF)

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CNHTS:: 8542399000
USHTS:: 8542390090
ECCN:: EAR99

STDRIVEG600 Halbbrücken-Gate-Treiber

Der STMicroelectronics STDRIVEG600-Halbbrücken-Gate-Treiber ist ein Einzelchip-Halbbrücken-gate-Treiber für GaN (Galliumnitrid) eHEMTs (Anreicherungstyp-High-Electron-Mobility-Transistoren) oder n-Kanal-Leistungs-MOSFETs. Die high-side des STDRIVEG600 ist so konzipiert, dass sie Spannungen von bis zu 600 V widersteht und für Designs mit einer Busspannung von bis zu 500 V geeignet. Dieses Bauteil eignet sich aufgrund seiner hohen Strombelastbarkeit, kurzen Laufzeitverzögerungen und des Betriebs mit einer Versorgungsspannung bis hinunter zu 5 V hervorragend für den Antrieb von Hochgeschwindigkeits-GaN- und Silizium-FETs.