STDRIVEG611Q

STMicroelectronics
511-STDRIVEG611Q
STDRIVEG611Q

Herst.:

Beschreibung:
Gate-Treiber High voltage and high-speed half-bridge gate driver for GaN power switches

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CHF 1.83 CHF 18.30
CHF 1.68 CHF 42.00
CHF 1.51 CHF 151.00
CHF 1.38 CHF 345.00
CHF 1.34 CHF 670.00
CHF 1.32 CHF 1'320.00
CHF 1.29 CHF 3'225.00
CHF 1.26 CHF 6'174.00

Produktattribut Attributwert Attribut auswählen
STMicroelectronics
Produktkategorie: Gate-Treiber
RoHS:  
Gate Drivers
Half-Bridge
SMD/SMT
QFN-18
2 Driver
3 Output
10.6 V
18 V
Inverting, Non-Inverting
11 ns
22 ns
- 40 C
+ 125 C
Tray
Marke: STMicroelectronics
Eingangsspannung – Max: 20 V
Eingangsspannung – Min: 3.3 V
Maximale Abschaltverzögerungszeit: 60 ns
Maximale Anschaltverzögerungszeit: 60 ns
Feuchtigkeitsempfindlich: Yes
Produkt-Typ: Gate Drivers
Abschaltung: No Shutdown
Verpackung ab Werk: 4900
Unterkategorie: PMIC - Power Management ICs
Technologie: GaN
Gewicht pro Stück: 44 mg
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Ausgewählte Attribute: 0

CNHTS:
8542399000
USHTS:
8542390090
MXHTS:
8542399999
ECCN:
EAR99

STDRIVEG611 Halbbrücken-GATE-Treiber

STMicroelectronics STDRIVEG611 Halbbrücken-GATE Treiber sind Hochspannungs-Halbbrücken- GATE- Treiber für N-Kanal-Enhancement Modus -GaN. Der High-Side-Treiberbereich ist für eine Spannung von bis zu 600 V ausgelegt und kann problemlos über die integrierte Bootstrap-Diode versorgt werden. Hohe Strombelastbarkeit, kurze Ausbreitungsverzögerung mit ausgezeichneter Verzögerungsanpassung und integrierte LDOs machen den STDRIVEG611 optimal für den Betrieb von Hochgeschwindigkeits-GaN.