STDRIVEG612QTR

STMicroelectronics
511-STDRIVEG612QTR
STDRIVEG612QTR

Herst.:

Beschreibung:
Gate-Treiber High voltage and high-speed half-bridge gate driver for GaN power switches

Lebenszyklus:
Neues Produkt:
Neu von diesem Hersteller.
ECAD Model:
Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

Auf Lager: 788

Lagerbestand:
788 sofort lieferbar
Lieferzeit ab Hersteller:
52 Wochen Geschätzte Produktionszeit des Werks für Mengen, die größer als angezeigt sind.
Minimum: 1   Vielfache: 1
Stückpreis:
CHF -.--
Erw. Preis:
CHF -.--
Vorauss. Zolltarif:

Preis (CHF)

Menge Stückpreis
Erw. Preis
CHF 3.89 CHF 3.89
CHF 3.50 CHF 35.00
CHF 3.01 CHF 75.25
CHF 2.69 CHF 269.00
CHF 2.25 CHF 562.50
CHF 2.17 CHF 1’085.00
CHF 1.72 CHF 1’720.00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)
CHF 1.46 CHF 4’380.00

Produktattribut Attributwert Attribut auswählen
STMicroelectronics
Produktkategorie: Gate-Treiber
RoHS:  
Gate Driver
Half-Bridge
SMD/SMT
QFN-18
2 Driver
3 Output
1.8 A
10.3 V
18 V
Inverting, Non-Inverting
22 ns
13 ns
- 40 C
+ 125 C
Reel
Cut Tape
Marke: STMicroelectronics
Land der Bestückung: Not Available
Land der Verbreitung: Not Available
Ursprungsland: TH
Maximale Abschaltverzögerungszeit: 65 ns
Maximale Anschaltverzögerungszeit: 65 ns
Feuchtigkeitsempfindlich: Yes
Ausgangsspannung: 520 V
Produkt-Typ: Gate Drivers
Verzögerungszeit - Max.: 65 ns
Rds On - Drain-Source-Widerstand: 6.8 Ohms
Abschaltung: Shutdown
Verpackung ab Werk: 3000
Unterkategorie: PMIC - Power Management ICs
Technologie: GaN
Handelsname: STDRIVE
Produkte gefunden:
Um ähnliche Produkte anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen aus
Um ähnliche Produkte in dieser Kategorie anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen oben aus.
Ausgewählte Attribute: 0

Für diese Funktionalität ist die Aktivierung von JavaScript erforderlich.

USHTS:
8542390090
MXHTS:
8542399999
ECCN:
EAR99

STDRIVEG612 600 V Halbbrücken-Gate-Treiber

Der 600 V High-Speed-Halbbrücken-Gate-Treiber STDRIVEG612 von STMicroelectronics ist für 5-V-gesteuerte, selbstsperrende GaN-HEMTs optimiert. Der High-Side-Treiberabschnitt ist für eine Spannungsschiene von bis zu 600 V ausgelegt und kann problemlos über die integrierte Bootstrapdiode versorgt werden. Dank seiner Hochstromfähigkeit, kurzen Laufzeitverzögerungen mit exzellenter Laufzeitanpassung und integrierten LDOs ist der STDRIVEG612 für die Ansteuerung von High-Speed-GaN optimiert.