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STF3LN80K5

Name: STMicroelectronics STF3LN80K5
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STF3LN80K5
Price: 1.73 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

511-STF3LN80K5

Herst.- Nr.:

STF3LN80K5

Herst.:

STMicroelectronics

Beschreibung:

MOSFETs N-channel 800 V, 2.75 Ohm typ., 2 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220FP package

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Datenblatt:

STF3LN80K5 Datenblatt (PDF)

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	CHF 1.04	CHF 10.40
	CHF 0.773	CHF 77.30
	CHF 0.626	CHF 313.00
	CHF 0.56	CHF 560.00
	CHF 0.503	CHF 1’006.00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	STMicroelectronics
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	Through Hole
Verpackung/Gehäuse:	TO-220-3
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	800 V
Id - Drain-Gleichstrom:	2 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	2.75 Ohms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 30 V, 30 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	3 V
Qg - Gate-Ladung:	2.63 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	20 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	MDmesh
Verpackung:	Tube
Marke:	STMicroelectronics
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	26 ns
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	7 ns
Serie:	STF3LN80K5
Verpackung ab Werk:	2000
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	30 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	6.2 ns
Gewicht pro Stück:	2 g

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Datenblatt

STF3LN80K5 Datenblatt (PDF)

PCN

Konformitätscodes

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: China
Herstellungsland:: Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:: Nicht lieferbar

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

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