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STF42N65M5

Name: STMicroelectronics STF42N65M5
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STF42N65M5
Price: 6.92 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

511-STF42N65M5

Herst.- Nr.:

STF42N65M5

Herst.:

STMicroelectronics

Beschreibung:

MOSFETs N-CH 65V 33A MDMESH

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Datenblatt:

STF42N65M5 Datenblatt (PDF)

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	CHF 4.10	CHF 4’100.00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	STMicroelectronics
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Montageart:	Through Hole
Verpackung/Gehäuse:	TO-220-3
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	650 V
Id - Drain-Gleichstrom:	33 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	79 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 25 V, 25 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	3 V
Qg - Gate-Ladung:	98 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	40 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	MDmesh
Verpackung:	Tube
Marke:	STMicroelectronics
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	13 ns
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	24 ns
Serie:	Mdmesh M5
Verpackung ab Werk:	1000
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	65 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	61 ns
Gewicht pro Stück:	2 g

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Datenblatt

STF42N65M5 Datenblatt (PDF)

PCN

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541210000
MXHTS:: 85412101
ECCN:: EAR99

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