Scheinbar haben Sie Javascript in Ihrem Browser deaktiviert. Einige Funktionen auf dieser Seite funktionieren nur, wenn Sie sich anmelden.

Wird ein Fehler angezeigt?

STF4N80K5

Name: STMicroelectronics STF4N80K5
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STF4N80K5
Price: 1.84 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

511-STF4N80K5

Herst.- Nr.:

STF4N80K5

Herst.:

STMicroelectronics

Beschreibung:

MOSFETs N-CH 800V 2.1Ohm 3A Zener-protected

Vervollständigen Sie Ihr Design

Datenblatt:

STF4N80K5 Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

Mehr über

Weitere Informationen zu STMicroelectronics STF4N80K5

Auf Lager: 707

Lagerbestand:: 707 sofort lieferbar

Ein unerwarteter Fehler ist aufgetreten. Bitte versuchen Sie es später noch einmal.
Lieferzeit ab Hersteller:: 18 Wochen Geschätzte Produktionszeit des Werks für Mengen, die größer als angezeigt sind.

Bestellmengen größer als 707 können einer Mindestbestellmenge unterliegen.

Menge eingeben:

Minimum: 1 Vielfache: 1

Stückpreis:

CHF -.--

Erw. Preis:

CHF -.--

Vorauss. Zolltarif:

Preis (CHF)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
	CHF 1.84	CHF 1.84
	CHF 0.896	CHF 8.96
	CHF 0.801	CHF 80.10
	CHF 0.637	CHF 318.50
	CHF 0.584	CHF 584.00
	CHF 0.539	CHF 1’078.00
	CHF 0.538	CHF 2’690.00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	STMicroelectronics
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Montageart:	Through Hole
Verpackung/Gehäuse:	TO-220-3
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	800 V
Id - Drain-Gleichstrom:	3 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	2.1 Ohms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 30 V, 30 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	4 V
Qg - Gate-Ladung:	10.5 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	20 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	MDmesh
Verpackung:	Tube
Marke:	STMicroelectronics
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	21 ns
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	15 ns
Serie:	STF4N80K5
Verpackung ab Werk:	1000
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	36 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	16.5 ns
Gewicht pro Stück:	2 g

Produkte gefunden:

Um ähnliche Produkte anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen aus

Um ähnliche Produkte in dieser Kategorie anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen oben aus.

Ausgewählte Attribute: 0

Dokument filtern:

Datenblatt

STF4N80K5 Datenblatt (PDF)

PCN

Konformitätscodes

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: China
Herstellungsland:: Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:: Nicht lieferbar

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

SuperMESH™ Hochspannungs-MOSFETs

STMicroelectronics Zener-geschützte SuperMESH™ Leistungs-MOSFETs stellen eine grundlegende Optimierung des streifenbasierten Standard-PowerMESH™-Layouts dar. STMicroelectronics SuperMESH MOSFETs senken den On-Widerstand signifikant und bieten gleichzeitig eine sehr gute dv/dt-Leistung, wodurch sie sich auch für anspruchsvollste Anwendungen eignen. SuperMESH-Komponenten haben eine minimierte Gate-Ladung, sind zu 100% Avalanche-getestet, haben verbesserte ESD-Fähigkeiten und ein neues Hochspannungsbenchmark. Diese STMicroelectronics MOSFETs sind für die Verwendung in Schaltanwendungen konzipiert.
Weitere Informationen

Neueste Technologien in Leistungs-MOSFETs und IGBTs

STMicroelectronics bietet die neuesten Technologien in Leistungs-MOSFETs und IGBTs. ST bietet ein großes Portfolio an MOSFETS und IGBTs an, die auf ihre spezifische Applikation zugeschnitten ist und für SNT-, Beleuchtungs-, Motorsteuerungs- und verschiedene Industrieapplikationen ausgelegt sind. Das Portfolio von ST umfasst Hochspannungs-Super-Junction-MOSFETs und Trench-Gate-Field-Stop-IGBTs für harte und weiche Schalttopologien und Trench-basierte Niederspannungs-MOSFETs für die Leistungsumwandlung und BLDC-Motorantriebe. Die neuesten 1.200-V-SiC-MOSFETs von ST vereinen die branchenweit höchste Sperrschichttemperatur von 200 °C mit einem sehr niedrigen RDS(on)-Bereich (mit minimaler Veränderung gegenüber Temperatur) und einer ausgezeichneten Schaltleistung für effizientere und kompakte SNT-Designs. Für die Motorsteuerung bieten die IGBTs der M-Baureihe einen optimierten Kompromiss von VCE(SAT) und E(off) zusammen mit einer robusten Kurzschlussbeständigkeit. Entdecken Sie das komplette Angebot von ST an MOSFETs und IGBTs für SNT-Designs.