STFH13N60M2

STMicroelectronics
511-STFH13N60M2
STFH13N60M2

Herst.:

Beschreibung:
MOSFETs N-channel 600 V, 0.35 Ohm typ 11 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP wide creep

Lebenszyklus:
Status beim Hersteller bestätigen:
Informationen über den Produktlebenszyklus sind nicht eindeutig. Holen Sie ein Angebot ein, um die Verfügbarkeit dieser Teilenummer vom Hersteller zu bestätigen.
ECAD Model:
Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

Auf Lager: 935

Lagerbestand:
935 sofort lieferbar
Lieferzeit ab Hersteller:
52 Wochen Geschätzte Produktionszeit des Werks für Mengen, die größer als angezeigt sind.
Bestellmengen größer als 935 können einer Mindestbestellmenge unterliegen.
Minimum: 1   Vielfache: 1
Stückpreis:
CHF -.--
Erw. Preis:
CHF -.--
Vorauss. Zolltarif:

Preis (CHF)

Menge Stückpreis
Erw. Preis
CHF 2.50 CHF 2.50
CHF 0.996 CHF 9.96
CHF 0.912 CHF 91.20
CHF 0.904 CHF 452.00

Produktattribut Attributwert Attribut auswählen
STMicroelectronics
Produktkategorie: MOSFETs
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
600 V
11 A
350 mOhms
- 25 V, 25 V
2 V
17 nC
- 55 C
+ 150 C
25 W
Enhancement
MDmesh
Tube
Marke: STMicroelectronics
Konfiguration: Single
Abfallzeit: 9.5 ns
Produkt-Typ: MOSFETs
Anstiegszeit: 10 ns
Serie: STFH13N60M2
Verpackung ab Werk: 920
Unterkategorie: Transistors
Transistorart: 1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit: 41 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit: 11 ns
Gewicht pro Stück: 2 g
Produkte gefunden:
Um ähnliche Produkte anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen aus
Um ähnliche Produkte in dieser Kategorie anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen oben aus.
Ausgewählte Attribute: 0

Konformitätscodes
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99
Ursprungsklassifikationen
Ursprungsland:
China
Herstellungsland:
Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:
Nicht lieferbar
Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

MDmesh™ II Leistungs-MOSFETs

STMicroelectronics MDmesh™ II Leistungs-MOSFETs verbinden eine vertikale Struktur mit STMs Streifenlayout für eines der branchenweit niedrigsten Niveaus an On-Widerstand und Gate-Ladung, wodurch die Komponenten den höchsten Ansprüchen von Wandlern mit hohem Wirkungsgrad gerecht werden. Diese MDmesh™ II Leistungs-MOSFETs sind vollständig isoliert und in einem Niedrigprofilgehäuse mit erhöhtem Kriechstrom vom Pin zur Kühlkörperplatte untergebracht. Sie sind zu 100% Avalanche-getestet und bieten niedrige Eingangskapazität, Gate-Ladung und Gate-Eingangswiderstand.
Weitere Informationen