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STFW38N65M5

Name: STMicroelectronics STFW38N65M5
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STFW38N65M5
Price: 5.14 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

511-STFW38N65M5

Herst.- Nr.:

STFW38N65M5

Herst.:

STMicroelectronics

Beschreibung:

MOSFETs N-channel 650 V, 0.073 Ohm typ., 30 A MDmesh M5 Power MOSFET in TO-3PF package

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Datenblatt:

STFW38N65M5 Datenblatt (PDF)

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	STMicroelectronics
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	Through Hole
Verpackung/Gehäuse:	TO-3PF-3
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	650 V
Id - Drain-Gleichstrom:	30 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	95 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 25 V, 25 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	4 V
Qg - Gate-Ladung:	71 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	57 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	MDmesh
Verpackung:	Tube
Marke:	STMicroelectronics
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	9 ns
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	9 ns
Serie:	Mdmesh M5
Verpackung ab Werk:	300
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Gewicht pro Stück:	7 g

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Datenblatt

STFW38N65M5 Datenblatt (PDF)

PCN

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

Neueste Technologien in Leistungs-MOSFETs und IGBTs

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N-channel MDmesh™ V Leistungs-MOSFET

Das STMicroelectronics N-channel MDmesh™ V Leistungs-MOSFET verwendet MDmesh™ V, eine revolutionäre Leistungs-MOSFET-Technologie, die auf einem innovativen proprietären vertikalen Prozess basiert, der mit STMicroelectronics branchenbekannter horizontaler PowerMESH™-Layoutstruktur kombiniert wurde. Das STMicroelectronics N-channel MDmesh™ V Leistungs-MOSFET bietet einen extrem niedrigen On-Widerstand, der in silikonbasierten Leistungs-MOSFETs einmalig ist, wodurch sich das Gerät hervorragend für Anwendungen mit hohen Anforderungen an Leistungsdichte und hohe Wirkungsgrade eignet.
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MDMesh™ N-Channel Power MOSFETs

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