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STGB20H65DFB2

Name: STMicroelectronics STGB20H65DFB2
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STGB20H65DFB2
Price: 0.75 CHF
Availability: Discontinued

Mouser-Nr.:

511-STGB20H65DFB2

Herst.- Nr.:

STGB20H65DFB2

Herst.:

STMicroelectronics

Beschreibung:

IGBTs Trench gate field-stop 650 V, 20 A high speed HB2 series IGBT in a D2PAK package

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Lebenszyklus:

NRND:

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Datenblatt:

STGB20H65DFB2 Datenblatt (PDF)

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Hersteller:	STMicroelectronics
Produktkategorie:	IGBTs
RoHS:
Maximale Gate-Emitter-Spannung:	- 20 V, 20 V
Verpackung:	Reel
Marke:	STMicroelectronics
Produkt-Typ:	IGBT Transistors
Verpackung ab Werk:	1000
Unterkategorie:	IGBTs
Gewicht pro Stück:	1.380 g

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Datenblatt

STGB20H65DFB2 Datenblatt (PDF)

PCN

Product Change Notification 2024-03-05 (PDF)

Konformitätscodes

USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: China
Herstellungsland:: Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:: Nicht lieferbar

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

IGBT V Series

STMicroelectronics 600V trench-gate field-stop very high-speed IGBT V series features the industry's lowest Eoff. Combined with a saturation voltage as low as 1.8V and a maximum operating junction temperature of 175°C, they enable increased system efficiency, higher switching frequencies (up to 120kHz), and simplified thermal and EMI design.

650V HB-Serie Trench-Gate-Field-Stop-IGBTs

STMicroelectronics 650V Trench-Gate-Field-Stop-IGBTs der HB-Serie sind IGBTs, bei deren Entwicklung eine erweiterte proprietäre Trench-Gate- und Field-Stop-Struktur verwendet wurde. Diese Geräte stellen einen optimalen Kompromiss zwischen Leitungs- und Schaltverlusten dar, um den Wirkungsgrad eines Frequenzwandlers zu maximieren. Mit der erweiterten Trench-Gate-Field-Stop-Hochgeschwindigkeitstechnologie von ST verfügen diese IGBTs über ein minimales Kollektorstrom-Abschaltungsende, sowie über eine sehr geringe Sättigungsspannung (Vce_(sat)) hinunter bis zu 1,6V (Typ.), dies minimiert Energieverluste während des Schaltens und beim Einschalten. Außerdem führen ein leicht positiver VCE-Temperaturkoeffizient _(sat) und eine äußerst geringe Parameterverteilung zu sichererem Parallelbetrieb.
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