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STGF15H60DF

Name: STMicroelectronics STGF15H60DF
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STGF15H60DF
Price: 1.84 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

511-STGF15H60DF

Herst.- Nr.:

STGF15H60DF

Herst.:

STMicroelectronics

Beschreibung:

IGBTs Trench gate H series 600V 15A HiSpd

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Datenblatt:

STGF15H60DF Datenblatt (PDF)

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Menge	Stückpreis	Erw. Preis
	CHF 1.84	CHF 1.84
	CHF 0.896	CHF 8.96
	CHF 0.801	CHF 80.10
	CHF 0.638	CHF 319.00
	CHF 0.569	CHF 569.00
	CHF 0.541	CHF 1’082.00
	CHF 0.494	CHF 2’470.00
	CHF 0.491	CHF 4’910.00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	STMicroelectronics
Produktkategorie:	IGBTs
RoHS:
Technologie:	Si
Verpackung/Gehäuse:	TO-220-3 FP
Montageart:	Through Hole
Konfiguration:	Single
Kollektor-Emitterspannung VCEO max.:	600 V
Sättigungsspannung Kollektor-Emitter:	1.6 V
Maximale Gate-Emitter-Spannung:	- 20 V, 20 V
Kollektorgleichstrom bei 25 C:	30 A
Pd - Verlustleistung:	30 W
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Serie:	STGF15H60DF
Verpackung:	Tube
Marke:	STMicroelectronics
Kollektorgleichstrom Ic max.:	15 A
Kriechstrom Gate-Emitter:	250 nA
Produkt-Typ:	IGBT Transistors
Verpackung ab Werk:	1000
Unterkategorie:	IGBTs
Gewicht pro Stück:	2.300 g

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Datenblatt

STGF15H60DF Datenblatt (PDF)

PCN

Konformitätscodes

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: China
Herstellungsland:: China
Land der Verbreitung:: Nicht lieferbar

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

IGBT V Series

STMicroelectronics 600V trench-gate field-stop very high-speed IGBT V series features the industry's lowest Eoff. Combined with a saturation voltage as low as 1.8V and a maximum operating junction temperature of 175°C, they enable increased system efficiency, higher switching frequencies (up to 120kHz), and simplified thermal and EMI design.