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STGF5H60DF

Name: STMicroelectronics STGF5H60DF
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STGF5H60DF
Price: 1.41 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

511-STGF5H60DF

Herst.- Nr.:

STGF5H60DF

Herst.:

STMicroelectronics

Beschreibung:

IGBTs Trench gate field-stop IGBT, H series 600 V, 5 A high speed

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Datenblatt:

STGF5H60DF Datenblatt (PDF)

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	CHF 0.775	CHF 7.75
	CHF 0.586	CHF 58.60
	CHF 0.464	CHF 232.00
	CHF 0.382	CHF 382.00
	CHF 0.36	CHF 720.00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	STMicroelectronics
Produktkategorie:	IGBTs
RoHS:
Technologie:	Si
Verpackung/Gehäuse:	TO-220FP-3
Montageart:	Through Hole
Konfiguration:	Single
Kollektor-Emitterspannung VCEO max.:	600 V
Sättigungsspannung Kollektor-Emitter:	1.5 V
Maximale Gate-Emitter-Spannung:	- 20 V, 20 V
Kollektorgleichstrom bei 25 C:	10 A
Pd - Verlustleistung:	24 W
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Serie:	STGF5H60DF
Verpackung:	Tube
Marke:	STMicroelectronics
Kollektorgleichstrom Ic max.:	10 A
Kriechstrom Gate-Emitter:	250 nA
Produkt-Typ:	IGBT Transistors
Verpackung ab Werk:	1000
Unterkategorie:	IGBTs
Gewicht pro Stück:	2.300 g

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Datenblatt

STGF5H60DF Datenblatt (PDF)

PCN

Konformitätscodes

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: China
Herstellungsland:: Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:: Nicht lieferbar

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

1200V H-Serie Trench-Gate-Field-Stop-IGBTs

Die 1200V-Trench-Gate-Field-Stop-IGBTs der H-Serie von STMicroelectronics sind Hochgeschwindigkeits-IGBTs, bei deren Entwicklung eine erweiterte proprietäre Trench-Gate- und Field-Stop-Struktur verwendet wurde. Diese Geräte stellen einen optimalen Kompromiss zwischen Leitungs- und Schaltverlusten dar, um den Wirkungsgrad eines Frequenzwandlers zu maximieren. Mit der erweiterten Trench-Gate-Field-Stop-Hochgeschwindigkeitstechnologie von ST verfügen diese IGBTs über eine 5μs Kurzschlussfestigkeits-Widerstandszeit bei T_J=150°C, ein minimales Kollektorstrom-Abschaltungsende, sowie über eine sehr geringe Sättigungsspannung (V_CE(sat)) hinunter bis zu 2,1V (Typ.), was Energieverluste während des Schaltens und Einschaltens minimiert. Außerdem führen ein leicht positiver VCE-Temperaturkoeffizient _(sat) und eine äußerst geringe Parameterverteilung zu sichererem Parallelbetrieb. Die 1200V-Trench-Gate-Field-Stop-IGBTs der H-Serie sind ideal für unterbrechungsfreie Stromversorgungen, Schweißmaschinen, Photovoltaik-Wechselrichter, Leistungsfaktorkorrektur und Hochfrequenz-Wandler.
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