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STGP10NB60SD

Name: STMicroelectronics STGP10NB60SD
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STGP10NB60SD
Price: 2.37 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

511-STGP10NB60SD

Herst.- Nr.:

STGP10NB60SD

Herst.:

STMicroelectronics

Beschreibung:

IGBTs N-Ch 600 V 10 A Low Drop PowerMESH

Vervollständigen Sie Ihr Design

Lebenszyklus:

End-of-Life-Produkt :

Gilt als veraltet und wurde vom Hersteller abgekündigt

Datenblatt:

STGP10NB60SD Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	STMicroelectronics
Produktkategorie:	IGBTs
RoHS:
Technologie:	Si
Verpackung/Gehäuse:	TO-220-3
Montageart:	Through Hole
Konfiguration:	Single
Kollektor-Emitterspannung VCEO max.:	600 V
Sättigungsspannung Kollektor-Emitter:	1.35 V
Maximale Gate-Emitter-Spannung:	- 20 V, 20 V
Kollektorgleichstrom bei 25 C:	29 A
Pd - Verlustleistung:	80 W
Minimale Betriebstemperatur:	- 65 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Serie:	STGP10NB60SD
Verpackung:	Tube
Marke:	STMicroelectronics
Kollektorgleichstrom Ic max.:	20 A
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	CN
Produkt-Typ:	IGBT Transistors
Verpackung ab Werk:	1000
Unterkategorie:	IGBTs
Gewicht pro Stück:	6 g

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Ausgewählte Attribute: 0

                        
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