STGP4M65DF2

STMicroelectronics
511-STGP4M65DF2
STGP4M65DF2

Herst.:

Beschreibung:
IGBTs Trench Gate IGBT M Series 650V 4A

ECAD Model:
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STMicroelectronics
Produktkategorie: IGBTs
RoHS:  
Si
TO-220-3
Through Hole
Single
650 V
1.6 V
- 20 V, 20 V
8 A
68 W
- 55 C
+ 175 C
STGP4M65DF2
Tube
Marke: STMicroelectronics
Kollektorgleichstrom Ic max.: 8 A
Kriechstrom Gate-Emitter: 250 uA
Produkt-Typ: IGBT Transistors
Verpackung ab Werk: 1000
Unterkategorie: IGBTs
Gewicht pro Stück: 1.800 g
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Ausgewählte Attribute: 0

Konformitätscodes
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
Ursprungsklassifikationen
Ursprungsland:
China
Herstellungsland:
Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:
Nicht lieferbar
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