STGW30V60DF

STMicroelectronics
511-STGW30V60DF
STGW30V60DF

Herst.:

Beschreibung:
IGBTs 600V 30A High Speed Trench Gate IGBT

ECAD Model:
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STMicroelectronics
Produktkategorie: IGBTs
RoHS:  
Si
TO-247
Through Hole
Single
600 V
2.35 V
- 20 V, 20 V
60 A
258 W
- 55 C
+ 175 C
STGW30V60DF
Tube
Marke: STMicroelectronics
Kriechstrom Gate-Emitter: 250 nA
Produkt-Typ: IGBT Transistors
Verpackung ab Werk: 600
Unterkategorie: IGBTs
Gewicht pro Stück: 6.500 g
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Ausgewählte Attribute: 0

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99