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STGW40M120DF3

Name: STMicroelectronics STGW40M120DF3
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STGW40M120DF3
Price: 5.36 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

511-STGW40M120DF3

Herst.- Nr.:

STGW40M120DF3

Herst.:

STMicroelectronics

Beschreibung:

IGBTs Trench gate field-stop IGBT, M series 1200 V, 40 A low loss

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Datenblatt:

STGW40M120DF3 Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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	CHF 3.05	CHF 30.50
	CHF 2.54	CHF 254.00
	CHF 2.19	CHF 1’314.00
	CHF 2.08	CHF 2’496.00

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	STMicroelectronics
Produktkategorie:	IGBTs
RoHS:
Technologie:	Si
Verpackung/Gehäuse:	TO-247-3
Montageart:	Through Hole
Konfiguration:	Single
Kollektor-Emitterspannung VCEO max.:	1.2 kV
Sättigungsspannung Kollektor-Emitter:	1.85 V
Maximale Gate-Emitter-Spannung:	- 20 V, 20 V
Kollektorgleichstrom bei 25 C:	80 A
Pd - Verlustleistung:	468 W
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Serie:	M
Verpackung:	Tube
Marke:	STMicroelectronics
Kollektorgleichstrom Ic max.:	40 A
Kriechstrom Gate-Emitter:	250 nA
Produkt-Typ:	IGBT Transistors
Verpackung ab Werk:	600
Unterkategorie:	IGBTs
Gewicht pro Stück:	38 g

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Ausgewählte Attribute: 0

                        
ST NCNR & NON Warrantied

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If the end customer requires additional support please
process the request through your local Mouser
sales representative.

5-1013-36

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Datenblatt

STGW40M120DF3 Datenblatt (PDF)

PCN

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

M Series 1200V Trench Gate Field-Stop IGBTs

STMicroelectronics M Trench Gate Field-Stop IGBTs are developed using an advanced proprietary trench gate field-stop structure. These devices represent an optimum compromise in performance to maximize the efficiency of inverter systems where low-loss and short circuit capability are essential. A positive V_CE(sat) temperature coefficient and tight parameter distribution also result in safer paralleling operation. Typical applications for these devices include industrial drives, UPS, solar, and welding.