STGW80H65DFB-4

STMicroelectronics
511-STGW80H65DFB-4
STGW80H65DFB-4

Herst.:

Beschreibung:
IGBTs Trench gate field-stop 650 V, 80 A high speed HB series IGBT

ECAD Model:
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STMicroelectronics
Produktkategorie: IGBTs
RoHS:  
Si
Through Hole
Single
650 V
1.6 V
- 20 V, 20 V
120 A
470 W
- 55 C
+ 175 C
STGW80H65DFB-4
Tube
Marke: STMicroelectronics
Produkt-Typ: IGBT Transistors
Verpackung ab Werk: 600
Unterkategorie: IGBTs
Gewicht pro Stück: 4.430 g
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Ausgewählte Attribute: 0

Konformitätscodes
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99
Ursprungsklassifikationen
Ursprungsland:
China
Herstellungsland:
Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:
Nicht lieferbar
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