STGWA40H120DF2

STMicroelectronics
511-STGWA40H120DF2
STGWA40H120DF2

Herst.:

Beschreibung:
IGBTs Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 40 A high speed

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STMicroelectronics
Produktkategorie: IGBTs
RoHS:  
Si
TO-247-3
Through Hole
Single
1.2 kV
2.5 V
- 20 V, 20 V
80 A
468 W
- 55 C
+ 175 C
STGWA40H120DF2
Tube
Marke: STMicroelectronics
Kollektorgleichstrom Ic max.: 80 A
Land der Bestückung: Not Available
Land der Verbreitung: Not Available
Ursprungsland: CN
Kriechstrom Gate-Emitter: 250 nA
Produkt-Typ: IGBT Transistors
Verpackung ab Werk: 600
Unterkategorie: IGBTs
Gewicht pro Stück: 38 g
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Ausgewählte Attribute: 0

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99