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STGWA80H65DFBAG

STMicroelectronics

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

511-STGWA80H65DFBAG

Herst.- Nr.:

STGWA80H65DFBAG

Herst.:

STMicroelectronics

Beschreibung:

IGBTs Automotive-grade trench gate field-stop 650 V, 80 A high speed HB series IGBT

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Datenblatt:

STGWA80H65DFBAG Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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Hersteller:	STMicroelectronics
Produktkategorie:	IGBTs
RoHS:
Technologie:	Si
Verpackung/Gehäuse:	TO-247-3
Montageart:	Through Hole
Kollektor-Emitterspannung VCEO max.:	650 V
Sättigungsspannung Kollektor-Emitter:	1.65 V
Maximale Gate-Emitter-Spannung:	- 20 V, 20 V
Kollektorgleichstrom bei 25 C:	120 A
Pd - Verlustleistung:	535 W
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Qualifikation:	AEC-Q100
Verpackung:	Tube
Marke:	STMicroelectronics
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	CN
Produkt-Typ:	IGBT Transistors
Verpackung ab Werk:	30
Unterkategorie:	IGBTs
Gewicht pro Stück:	6.100 g

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CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

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