STGWA80H65DFBAG

STMicroelectronics
511-STGWA80H65DFBAG
STGWA80H65DFBAG

Herst.:

Beschreibung:
IGBTs Automotive-grade trench gate field-stop 650 V, 80 A high speed HB series IGBT
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STMicroelectronics
Produktkategorie: IGBTs
RoHS:  
Si
TO-247-3
Through Hole
650 V
1.65 V
- 20 V, 20 V
120 A
535 W
- 55 C
+ 175 C
AEC-Q100
Tube
Marke: STMicroelectronics
Produkt-Typ: IGBT Transistors
Verpackung ab Werk: 30
Unterkategorie: IGBTs
Gewicht pro Stück: 6.100 g
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Ausgewählte Attribute: 0

Datenblatt

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SPICE Models

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Konformitätscodes
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
Ursprungsklassifikationen
Ursprungsland:
China
Herstellungsland:
Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:
Nicht lieferbar
Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

650V HB-Serie Trench-Gate-Field-Stop-IGBTs

STMicroelectronics 650V Trench-Gate-Field-Stop-IGBTs der HB-Serie sind IGBTs, bei deren Entwicklung eine erweiterte proprietäre Trench-Gate- und Field-Stop-Struktur verwendet wurde. Diese Geräte stellen einen optimalen Kompromiss zwischen Leitungs- und Schaltverlusten dar, um den Wirkungsgrad eines Frequenzwandlers zu maximieren. Mit der erweiterten Trench-Gate-Field-Stop-Hochgeschwindigkeitstechnologie von ST verfügen diese IGBTs über ein minimales Kollektorstrom-Abschaltungsende, sowie über eine sehr geringe Sättigungsspannung (Vce(sat)) hinunter bis zu 1,6V (Typ.), dies minimiert Energieverluste während des Schaltens und beim Einschalten. Außerdem führen ein leicht positiver VCE-Temperaturkoeffizient (sat) und eine äußerst geringe Parameterverteilung zu sichererem Parallelbetrieb.
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