Scheinbar haben Sie Javascript in Ihrem Browser deaktiviert. Einige Funktionen auf dieser Seite funktionieren nur, wenn Sie sich anmelden.

Wird ein Fehler angezeigt?

STI47N60DM6AG

Name: STMicroelectronics STI47N60DM6AG
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STI47N60DM6AG
Price: 6 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

511-STI47N60DM6AG

Herst.- Nr.:

STI47N60DM6AG

Herst.:

STMicroelectronics

Beschreibung:

MOSFETs Automotive-grade N-channel 600 V, 70 mOhm typ., 36 A MDmesh DM6 Power MOSFET in

Vervollständigen Sie Ihr Design

Datenblatt:

STI47N60DM6AG Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

Mehr über

Weitere Informationen zu STMicroelectronics STI47N60DM6AG

Auf Lager: 11

Lagerbestand:: 11 sofort lieferbar

Ein unerwarteter Fehler ist aufgetreten. Bitte versuchen Sie es später noch einmal.
Lieferzeit ab Hersteller:: 18 Wochen Geschätzte Produktionszeit des Werks für Mengen, die größer als angezeigt sind.

Bestellmengen größer als 11 können einer Mindestbestellmenge unterliegen.

Menge eingeben:

Minimum: 1 Vielfache: 1

Stückpreis:

CHF -.--

Erw. Preis:

CHF -.--

Vorauss. Zolltarif:

Preis (CHF)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
	CHF 6.00	CHF 6.00
	CHF 4.06	CHF 40.60
	CHF 2.96	CHF 296.00
	CHF 2.67	CHF 1’335.00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	STMicroelectronics
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	Through Hole
Verpackung/Gehäuse:	I2PAK-3
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	600 V
Id - Drain-Gleichstrom:	36 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	80 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 25 V, 25 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	4.75 V
Qg - Gate-Ladung:	55 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	250 W
Kanalmodus:	Enhancement
Qualifikation:	AEC-Q101
Handelsname:	MDmesh
Verpackung:	Tube
Marke:	STMicroelectronics
Produkt-Typ:	MOSFETs
Serie:	STI47N60DM6AG
Verpackung ab Werk:	1000
Unterkategorie:	Transistors

Produkte gefunden:

Um ähnliche Produkte anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen aus

Um ähnliche Produkte in dieser Kategorie anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen oben aus.

Ausgewählte Attribute: 0

Dokument filtern:

Datenblatt

STI47N60DM6AG Datenblatt (PDF)

EOL

Product Change Notification (PDF)

PCN

Konformitätscodes

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: China
Herstellungsland:: Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:: Nicht lieferbar

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

DM6 n-Kanal-Leistungs-MOSFET

Der STMicroelectronics DM6 n-Kanal-Leistungs-MOSFET ist ein Teil der MDmesh™ DM6 schnellen Freilaufdioden. Dieser automotive n-Kanal-Leistungs-MOSFET bietet eine sehr niedrige Wiederherstellungsladung (Q_rr) und Erholungszeit (t_rr) in Kombination mit niedrigem R_DS(on). Der DM6 Leistungs-MOSFET verfügt über eine niedrige Gate-Ladung, eine niedrige Eingangskapazität, niedrigen On-Widerstand, hohe dv/dt- Robustheit und Zener-Schutz. Dieser Leistungs-MOSFET eignet sich für die meisten anspruchsvollen, hocheffizienten Wandler und ist ideal für Brückentopologien und phasenverschobene ZVS-Wandler.