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STL125N8F7AG

Name: STMicroelectronics STL125N8F7AG
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STL125N8F7AG
Price: 2.52 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

511-STL125N8F7AG

Herst.- Nr.:

STL125N8F7AG

Herst.:

STMicroelectronics

Beschreibung:

MOSFETs Automotive N-channel 80 V, 3.6 mOhm typ., 120 A, STripFET F7 Power MOSFET in a P

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Datenblatt:

STL125N8F7AG Datenblatt (PDF)

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CHF -.--

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Gehäuse:

Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)

Cut-Tape

MouseReel™ (+CHF 7.00)

Preis (CHF)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	CHF 2.52	CHF 2.52
	CHF 1.65	CHF 16.50
	CHF 1.14	CHF 114.00
	CHF 0.961	CHF 480.50
	CHF 0.94	CHF 940.00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)
	CHF 0.812	CHF 2'436.00

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von CHF 7.00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	STMicroelectronics
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	PowerFLAT-5x6-8
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	80 V
Id - Drain-Gleichstrom:	120 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	4.5 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	4.5 V
Qg - Gate-Ladung:	76 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	167 W
Kanalmodus:	Enhancement
Qualifikation:	AEC-Q101
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	STMicroelectronics
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	23 ns
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	39 ns
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	Transistors
Regelabschaltverzögerungszeit:	47 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	23 ns
Gewicht pro Stück:	76 mg

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CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

STripFET™ F7 Power MOSFETs

Die STMicroelectronics STripFET F7 MOSFETs Serie verfügt über eine erweiterte Trench-Gate-Struktur mit schneller und effizienter Schaltung für vereinfachtes Design und reduzierte Ausrüstungsgröße und Kosten. Niedriger Durchlasswiderstand kombiniert mit niedrigen Schaltverlusten bei gleichzeitiger Reduzierung der inneren Kapazitäten und der Gate-Ladung. Sie eignen sich hervorragend für Synchrongleichrichterschaltungen und verfügen über ein optimales Crss/Ciss-Kapazitätsverhältnis für die niedrigste EMI. Die STripFET F7 verfügen über eine hohe Avalanche-Robustheit.
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