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STL15N65M5

Name: STMicroelectronics STL15N65M5
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STL15N65M5
Price: 2.97 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

511-STL15N65M5

Herst.- Nr.:

STL15N65M5

Herst.:

STMicroelectronics

Beschreibung:

MOSFETs N-CH 650V 0.335Ohm 10A MDmesh M5

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Datenblatt:

STL15N65M5 Datenblatt (PDF)

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Cut-Tape

MouseReel™ (+CHF 7.00)

Preis (CHF)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	CHF 2.97	CHF 2.97
	CHF 1.94	CHF 19.40
	CHF 1.36	CHF 136.00
	CHF 1.11	CHF 555.00
	CHF 1.10	CHF 1’100.00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)
	CHF 1.03	CHF 3’090.00

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von CHF 7.00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	STMicroelectronics
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	PowerFLAT-5x6-8
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	650 V
Id - Drain-Gleichstrom:	10 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	375 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 25 V, 25 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	5 V
Qg - Gate-Ladung:	22 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	52 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	MDmesh
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	STMicroelectronics
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	12.5 ns
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	8 ns
Serie:	Mdmesh M5
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Gewicht pro Stück:	76 mg

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Datenblatt

STL15N65M5 Datenblatt (PDF)

PCN

Konformitätscodes

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: Italien
Herstellungsland:: Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:: Nicht lieferbar

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

N-channel MDmesh™ V Leistungs-MOSFET

Das STMicroelectronics N-channel MDmesh™ V Leistungs-MOSFET verwendet MDmesh™ V, eine revolutionäre Leistungs-MOSFET-Technologie, die auf einem innovativen proprietären vertikalen Prozess basiert, der mit STMicroelectronics branchenbekannter horizontaler PowerMESH™-Layoutstruktur kombiniert wurde. Das STMicroelectronics N-channel MDmesh™ V Leistungs-MOSFET bietet einen extrem niedrigen On-Widerstand, der in silikonbasierten Leistungs-MOSFETs einmalig ist, wodurch sich das Gerät hervorragend für Anwendungen mit hohen Anforderungen an Leistungsdichte und hohe Wirkungsgrade eignet.
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STMicroelectronics bietet die neuesten Technologien in Leistungs-MOSFETs und IGBTs. ST bietet ein großes Portfolio an MOSFETS und IGBTs an, die auf ihre spezifische Applikation zugeschnitten ist und für SNT-, Beleuchtungs-, Motorsteuerungs- und verschiedene Industrieapplikationen ausgelegt sind. Das Portfolio von ST umfasst Hochspannungs-Super-Junction-MOSFETs und Trench-Gate-Field-Stop-IGBTs für harte und weiche Schalttopologien und Trench-basierte Niederspannungs-MOSFETs für die Leistungsumwandlung und BLDC-Motorantriebe. Die neuesten 1.200-V-SiC-MOSFETs von ST vereinen die branchenweit höchste Sperrschichttemperatur von 200 °C mit einem sehr niedrigen RDS(on)-Bereich (mit minimaler Veränderung gegenüber Temperatur) und einer ausgezeichneten Schaltleistung für effizientere und kompakte SNT-Designs. Für die Motorsteuerung bieten die IGBTs der M-Baureihe einen optimierten Kompromiss von VCE(SAT) und E(off) zusammen mit einer robusten Kurzschlussbeständigkeit. Entdecken Sie das komplette Angebot von ST an MOSFETs und IGBTs für SNT-Designs.