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STL220N3LLH7

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

511-STL220N3LLH7

Herst.- Nr.:

STL220N3LLH7

Herst.:

STMicroelectronics

Beschreibung:

MOSFETs POWER MOSFET

Vervollständigen Sie Ihr Design

Lebenszyklus:

abgekündigt

Datenblatt:

STL220N3LLH7 Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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Versandmeldung:

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Hersteller:	STMicroelectronics
Produktkategorie:	MOSFETs
Versandbeschränkungen:	Mouser verkauft dieses Produkt nicht in Ihre Region.
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	PowerFLAT-5x6-8
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	30 V
Id - Drain-Gleichstrom:	220 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	1.1 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	1.2 V
Qg - Gate-Ladung:	46 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	113 W
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	STMicroelectronics
Konfiguration:	Single
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	CN
Abfallzeit:	51 ns
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	115 ns
Serie:	STL220N3LLH7
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel Power MOSFET
Regelabschaltverzögerungszeit:	70 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	55 ns
Gewicht pro Stück:	76 mg

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STMicroelectronics STripFET™ H7 MOSFETs

DieSTMicroelectronics30V STripFET H7-Serie ist für Hochleistungs-Energiemanagementsysteme mit hoher Dichte optimiert. Die STripFET H7 bietet niedrige Leitungsverluste für einen besseren Wirkungsgrad und eine Verbesserung der Schaltleistung (niedrige VDS-Spitze und kein HF-Überschwingen). Diese Serie von Trench-Gate Niederspannungs-MOSFETs verbinden einen extrem niedrigen On-Widerstand und besonders niedrige Kapazitäten mit einer optimierten integrierten Schottky-Diode für den Betrieb mit höherer Schaltfrequenz.
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