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STL40N10F7

Name: STMicroelectronics STL40N10F7
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STL40N10F7
Price: 1.8 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

511-STL40N10F7

Herst.- Nr.:

STL40N10F7

Herst.:

STMicroelectronics

Beschreibung:

MOSFETs N-CH 100V 0.020Ohm 10A STripFET VII

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Datenblatt:

STL40N10F7 Datenblatt (PDF)

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Preis (CHF)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	CHF 1.80	CHF 1.80
	CHF 1.14	CHF 11.40
	CHF 0.772	CHF 77.20
	CHF 0.626	CHF 313.00
	CHF 0.561	CHF 561.00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)
	CHF 0.524	CHF 1’572.00
	CHF 0.498	CHF 2’988.00

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von CHF 7.00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	STMicroelectronics
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	PowerFLAT-5x6-8
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	100 V
Id - Drain-Gleichstrom:	20 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	24 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	4 V
Qg - Gate-Ladung:	14 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	5 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	STripFET
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	STMicroelectronics
Konfiguration:	Single
Produkt-Typ:	MOSFETs
Serie:	STL40N10F7
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Gewicht pro Stück:	76 mg

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Datenblatt

STL40N10F7 Datenblatt (PDF)

Konformitätscodes

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: China
Herstellungsland:: Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:: Nicht lieferbar

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

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