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STL6N2VH5

Name: STMicroelectronics STL6N2VH5
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STL6N2VH5
Price: 0.61 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

511-STL6N2VH5

Herst.- Nr.:

STL6N2VH5

Herst.:

STMicroelectronics

Beschreibung:

MOSFETs N-Ch 20 V 0.025 Ohm 6 A STripFET V

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Datenblatt:

STL6N2VH5 Datenblatt (PDF)

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Cut-Tape

MouseReel™ (+CHF 7.00)

Preis (CHF)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	CHF 0.619	CHF 0.62
	CHF 0.474	CHF 4.74
	CHF 0.313	CHF 31.30
	CHF 0.242	CHF 121.00
	CHF 0.212	CHF 212.00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)
	CHF 0.151	CHF 453.00
	CHF 0.126	CHF 756.00

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von CHF 7.00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	STMicroelectronics
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	PowerFLAT-2x2-6
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	20 V
Id - Drain-Gleichstrom:	6 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	31 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 8 V, 8 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	700 mV
Qg - Gate-Ladung:	6 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	2.4 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	STripFET
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	STMicroelectronics
Konfiguration:	Single
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	CN
Produkt-Typ:	MOSFETs
Serie:	STL6N2VH5
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Gewicht pro Stück:	7.600 mg

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Datenblatt

STL6N2VH5 Datenblatt (PDF)

PCN

Product Change Notification (PDF)

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

STripFET™ Leistungs-MOSFETs

Diese STripFET™ Leistungs-MOSFETs sind Enhancement-Mode-MOSFETs, die von den neuesten Verbesserungen der STMicroelectronics proprietären STripFET™-Technologie mit neuer Gate-Struktur profitieren. Das Resultat ist ein STripFET™ Leistungs-MOSFET mit hoher Stromfähigkeit und niedrigem R_DS(on) für Schaltanwendungen im industriellen und Automobilbereich wie für Motorsteuerung, USV, DC-DC-Wandler, induktionsbetriebene Verdampfer und Solaranwendungen. STMicroelectronics STripFET™ Leistungs-MOSFETs haben eine sehr geringe Schalt-Gate-Ladung, hohe Avalanche-Beständigkeit, niedrige Gate-Treiber-Leistungsverluste und eine hohe Leistungsdichte. Diese STripFET™ Leistungs-MOSFETs zählen zu den Leistungs-MOSFETs im Bereich 30V–150V mit dem branchenweit niedrigsten R_DS(on).
Weitere Informationen

STripFET V™ Leistungs-MOSFETs

STMicroelectronics STripFET V™ Leistungs-MOSFETs sind Anreicherungstyp-MOSFETs, die von der proprietären STripFET™-Technologie mit neuer Gate-Struktur von STMicroelectronics profitieren. Die fortschrittliche Planartechnologie eignet sich ideal für einen Betrieb mit hohem Wirkungsgrad, der die Gütezahl (Figure of Merit, FoM) verbessert. Sie zeichnen sich durch Hochstrom- und niedrigen R_DS(on)-Eigenschaften aus, die für Automotive- und Industrie-Schaltapplikationen erforderlich sind. Die fortschrittliche Planartechnologie dieser Module eignet sich ideal für Niederspannungssysteme mit hohem Wirkungsgrad.