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STL9P3LLH6

Name: STMicroelectronics STL9P3LLH6
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STL9P3LLH6
Price: 1.28 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

511-STL9P3LLH6

Herst.- Nr.:

STL9P3LLH6

Herst.:

STMicroelectronics

Beschreibung:

MOSFETs P-channel -30 V, 12 mOhm typ., -9 A STripFET H6 Power MOSFET in a PowerFLAT 3.3

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Datenblatt:

STL9P3LLH6 Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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Cut-Tape

MouseReel™ (+CHF 7.00)

Preis (CHF)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	CHF 1.28	CHF 1.28
	CHF 0.804	CHF 8.04
	CHF 0.543	CHF 54.30
	CHF 0.427	CHF 213.50
	CHF 0.39	CHF 390.00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)
	CHF 0.341	CHF 1'023.00
	CHF 0.321	CHF 1'926.00

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von CHF 7.00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	STMicroelectronics
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	PowerFLAT-3.3x3.3-8
Transistorpolung:	P-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	30 V
Id - Drain-Gleichstrom:	9 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	12 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	1 V
Qg - Gate-Ladung:	24 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	3 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	STripFET
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	STMicroelectronics
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	18 ns
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	93 ns
Serie:	STL9P3LLH6
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 P-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	50 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	13.2 ns
Gewicht pro Stück:	20 mg

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ECCN:: EAR99

STL9P3LLH6 p-Kanal-Leistungs-MOSFET

Der STMicroelectronics STL9P3LLH6 p-Kanal-Leistungs-MOSFET ist ein -30V, 12mΩ MOSFET, entwickelt unter Verwendung der STripFET™ H6-Technologie mit einer neuen Trench-Gate-Struktur. Dieser MOSFET verfügt über eine sehr geringe Gatter-Ladung, Verlustleistung und eine hohe Avalanche-Robustheit. Der STL9P3LLH6 MOSFET ist in einem 3,3x3,3 Gehäuse untergebracht und weist einen sehr geringen R_DS(on) für alle Gehäuse auf. Diese MOSFETs werden für Schaltanwendungen verwendet.