STP18N60DM2

STMicroelectronics
511-STP18N60DM2
STP18N60DM2

Herst.:

Beschreibung:
MOSFETs N-channel 600 V, 0.260 Ohm typ., 12 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-220 packag

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End-of-Life-Produkt :
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STMicroelectronics
Produktkategorie: MOSFETs
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
600 V
12 A
260 mOhms
- 25 V, 25 V
2 V
20 nC
- 55 C
+ 150 C
90 W
Enhancement
MDmesh
Tube
Marke: STMicroelectronics
Konfiguration: Single
Land der Bestückung: Not Available
Land der Verbreitung: Not Available
Ursprungsland: CN
Abfallzeit: 32.5 ns
Produkt-Typ: MOSFETs
Anstiegszeit: 8 ns
Serie: STP18N60DM2
Verpackung ab Werk: 1000
Unterkategorie: Transistors
Transistorart: 1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit: 9.5 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit: 13.5 ns
Gewicht pro Stück: 2 g
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Ausgewählte Attribute: 0

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99