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STP23NM60ND

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

511-STP23NM60ND

Herst.- Nr.:

STP23NM60ND

Herst.:

STMicroelectronics

Lebenszyklus:

abgekündigt

ECAD Model:

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Versandmeldung:

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Herst.:

STMicroelectronics

Herst.- Nr.:

STP28N60DM2

Beschreibung:

MOSFETs N-channel 600 V, 0.13 Ohm typ., 21 A MDmesh DM2 Power MOSFET in TO-220 package

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Hersteller:	STMicroelectronics
Produktkategorie:	MOSFETs
Versandbeschränkungen:	Mouser verkauft dieses Produkt nicht in Ihre Region.
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	Through Hole
Verpackung/Gehäuse:	TO-220-3
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	600 V
Id - Drain-Gleichstrom:	19.5 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	180 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 25 V, 25 V
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	150 W
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Tube
Marke:	STMicroelectronics
Konfiguration:	Single
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	CN
Abfallzeit:	40 ns
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	45 ns
Serie:	STP23NM60ND
Verpackung ab Werk:	1000
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	90 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	25 ns
Gewicht pro Stück:	2 g