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STP4N52K3

Name: STMicroelectronics STP4N52K3
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STP4N52K3
Price: 1.21 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

511-STP4N52K3

Herst.- Nr.:

STP4N52K3

Herst.:

STMicroelectronics

Beschreibung:

MOSFETs N-Ch 525V 2.5A 2.1 Ohm SuperMESH3

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Datenblatt:

STP4N52K3 Datenblatt (PDF)

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	CHF 0.452	CHF 452.00
	CHF 0.416	CHF 832.00
	CHF 0.349	CHF 1’745.00
	CHF 0.345	CHF 3’450.00
	CHF 0.344	CHF 8’600.00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	STMicroelectronics
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	Through Hole
Verpackung/Gehäuse:	TO-220-3
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	525 V
Id - Drain-Gleichstrom:	2.5 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	2.1 Ohms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 30 V, 30 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	3.75 V
Qg - Gate-Ladung:	11 nC
Pd - Verlustleistung:	20 W
Handelsname:	MDmesh
Verpackung:	Tube
Marke:	STMicroelectronics
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	14 ns
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	7 ns
Serie:	STP4N52K3
Verpackung ab Werk:	1000
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Gewicht pro Stück:	2 g

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Datenblatt

STP4N52K3 Datenblatt (PDF)

PCN

Konformitätscodes

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541210000
MXHTS:: 85412101
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: China
Herstellungsland:: Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:: Nicht lieferbar

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

Zener-Protected SuperMESH3 Power MOSFETs

STMicroelectronics Zener-Protected SuperMESH3™ Power MOSFETs are created through increased fine-tuning of STMicroelectronic's strip-based PowerMESH™ layout, combined with optimization of the vertical structure. In addition to significantly reducing ON-resistance, special attention has been taken to ensure these MOSFETs offer dynamic performance with a large avalanche capability. STMicroelectronics Zener-Protected SuperMESH3 Power MOSFETs are offered in voltages up to 1200V. Applications include switch-mode low-power supplies (SMPS), DC-DC converters, switching, and offline power supplies.