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STP80PF55

STMicroelectronics

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

511-STP80PF55

Herst.- Nr.:

STP80PF55

Herst.:

STMicroelectronics

Beschreibung:

MOSFETs P-Ch 55 Volt 80 Amp

Vervollständigen Sie Ihr Design

Lebenszyklus:

abgekündigt

Datenblatt:

STP80PF55 Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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Hersteller:	STMicroelectronics
Produktkategorie:	MOSFETs
Versandbeschränkungen:	Mouser verkauft dieses Produkt nicht in Ihre Region.
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	Through Hole
Verpackung/Gehäuse:	TO-220-3
Transistorpolung:	P-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	55 V
Id - Drain-Gleichstrom:	80 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	18 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 16 V, 16 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	2 V
Qg - Gate-Ladung:	190 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	300 W
Kanalmodus:	Enhancement
Marke:	STMicroelectronics
Konfiguration:	Single
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	MA
Abfallzeit:	80 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	32 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	190 ns
Serie:	STP80PF55
Verpackung ab Werk:	1000
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 P-Channel Power MOSFET
Regelabschaltverzögerungszeit:	165 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	35 ns
Gewicht pro Stück:	2 g

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Datenblatt

STP80PF55 Datenblatt (PDF)

EOL

PRODUCT TERMINATION NOTIFICATION (PDF)

PCN

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

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