STPSC30G065L2Y

STMicroelectronics
511-STPSC30G065L2Y
STPSC30G065L2Y

Herst.:

Beschreibung:
SiC Schottky Dioden 650 V, 30 A high surge silicon carbide power Schottky diode

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STMicroelectronics
Produktkategorie: SiC Schottky Dioden
RoHS:  
SMD/SMT
HU3PAK
Single
30 A
650 V
1.3 V
200 A
25 uA
- 55 C
+ 175 C
AEC-Q100
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marke: STMicroelectronics
Produkt-Typ: SiC Schottky Diodes
Verpackung ab Werk: 600
Unterkategorie: Diodes & Rectifiers
Vr - Sperrspannung: 650 V
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Konformitätscodes
CAHTS:
8541100090
USHTS:
8541100080
TARIC:
8541100000
ECCN:
EAR99
Ursprungsklassifikationen
Ursprungsland:
Japan
Herstellungsland:
Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:
Nicht lieferbar
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Standardprodukte

Die Standardprodukte von STMikroelectronics sind eine große Auswahl von Industriestandard- und Drop-In-Ersatzteilen für die gängisten Universal-Analog-ICs, diskreten und seriellen EEPROMs. Die Standardprodukte werden nach den höchsten Qualitätsstandards hergestellt und viele davon sind für Automotive-Applikationen AECQ-qualifiziert. Eine umfassende Palette von Design-Hilfsmitteln, darunter SPICE, IBIS-Modelle und Simulations-Tools, sind verfügbar, um das Hinzufügen zu einem Design-in zu vereinfachen.

STPSC 650-V-Schottky-Dioden auf Siliziumkarbid-Basis

STMicroelectronics STPSC 650-V-Schottky-Dioden auf Siliziumkarbid-Basis sind extrem leistungsstarke Schottky-Dioden. Das Breitbandlückenmaterial ermöglicht die Erstellung einer Schottky-Diodenstruktur mit einer Nennleistung von 650 V. Aufgrund der Schottky-Bauweise tritt beim Ausschalten keine Verzögerung auf und Überschwingmuster sind geringfügig. Das minimale kapazitive Abschaltverhalten ist temperaturunabhängig. Diese Bauteile eignen sich besonders gut für den Einsatz in PFC-Applikationen und erhöhen die Leistung bei harten Schaltbedingungen. Das hohe Ableitvermögen sorgt für eine gute Robustheit bei transienten Phasen.