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STPSC30G065WL

Name: STMicroelectronics STPSC30G065WL
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STPSC30G065WL
Price: 6.05 CHF
Availability: InStock

Mouser-Nr.:

511-STPSC30G065WL

Herst.- Nr.:

STPSC30G065WL

Herst.:

STMicroelectronics

Beschreibung:

SiC Schottky Dioden 650 V, 30A High surge Silicon Carbide power Schottky diode

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Datenblatt:

STPSC30G065WL Datenblatt (PDF)

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Hersteller:	STMicroelectronics
Produktkategorie:	SiC Schottky Dioden
RoHS:
Vrrm - Periodische Sperrspannung:	650 V
Verpackung:	Tube
Marke:	STMicroelectronics
Produkt-Typ:	SiC Schottky Diodes
Verpackung ab Werk:	600
Unterkategorie:	Diodes & Rectifiers
Vr - Sperrspannung:	650 V
Gewicht pro Stück:	6 g

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Datenblatt

STPSC30G065WL Datenblatt (PDF)

PCN

Konformitätscodes

USHTS:: 8541100080
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: China
Herstellungsland:: Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:: Nicht lieferbar

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

Standardprodukte

Die Standardprodukte von STMikroelectronics sind eine große Auswahl von Industriestandard- und Drop-In-Ersatzteilen für die gängisten Universal-Analog-ICs, diskreten und seriellen EEPROMs. Die Standardprodukte werden nach den höchsten Qualitätsstandards hergestellt und viele davon sind für Automotive-Applikationen AECQ-qualifiziert. Eine umfassende Palette von Design-Hilfsmitteln, darunter SPICE, IBIS-Modelle und Simulations-Tools, sind verfügbar, um das Hinzufügen zu einem Design-in zu vereinfachen.

STPSC 650-V-Schottky-Dioden auf Siliziumkarbid-Basis

STMicroelectronics STPSC 650-V-Schottky-Dioden auf Siliziumkarbid-Basis sind extrem leistungsstarke Schottky-Dioden. Das Breitbandlückenmaterial ermöglicht die Erstellung einer Schottky-Diodenstruktur mit einer Nennleistung von 650 V. Aufgrund der Schottky-Bauweise tritt beim Ausschalten keine Verzögerung auf und Überschwingmuster sind geringfügig. Das minimale kapazitive Abschaltverhalten ist temperaturunabhängig. Diese Bauteile eignen sich besonders gut für den Einsatz in PFC-Applikationen und erhöhen die Leistung bei harten Schaltbedingungen. Das hohe Ableitvermögen sorgt für eine gute Robustheit bei transienten Phasen.