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STPSC30G12WL

Name: STMicroelectronics STPSC30G12WL
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STPSC30G12WL
Price: 10.97 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

511-STPSC30G12WL

Herst.- Nr.:

STPSC30G12WL

Herst.:

STMicroelectronics

Beschreibung:

SiC Schottky Dioden 1200 V, 20 A High surge Silicon Carbide Power Schottky Diode

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Datenblatt:

STPSC30G12WL Datenblatt (PDF)

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	STMicroelectronics
Produktkategorie:	SiC Schottky Dioden
RoHS:
Montageart:	Through Hole
Verpackung/Gehäuse:	DO-247-2
Konfiguration:	Single
If - Durchlassstrom:	30 A
Vrrm - Periodische Sperrspannung:	1.2 kV
Vf - Durchlassspannung:	1.35 V
Ifsm - Durchlass-Stoßstrom:	250 A
Ir - Sperrstrom:	15 uA
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Verpackung:	Tube
Marke:	STMicroelectronics
Produkt-Typ:	SiC Schottky Diodes
Verpackung ab Werk:	600
Unterkategorie:	Diodes & Rectifiers
Gewicht pro Stück:	6 g

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USHTS:: 8541100080
TARIC:: 8541100000
ECCN:: EAR99

Standardprodukte

Die Standardprodukte von STMikroelectronics sind eine große Auswahl von Industriestandard- und Drop-In-Ersatzteilen für die gängisten Universal-Analog-ICs, diskreten und seriellen EEPROMs. Die Standardprodukte werden nach den höchsten Qualitätsstandards hergestellt und viele davon sind für Automotive-Applikationen AECQ-qualifiziert. Eine umfassende Palette von Design-Hilfsmitteln, darunter SPICE, IBIS-Modelle und Simulations-Tools, sind verfügbar, um das Hinzufügen zu einem Design-in zu vereinfachen.

STPSC30G12 Siliciumcarbid-Leistungs-Schottky-Dioden

Die STMicroelectronics STPSC30G12-Siliciumcarbid-Leistungs-Schottky-Dioden sind in einer DO-247-Gehäuse mit langen Anschlussdrähten untergebracht. Der STMicroelectronics STPSC30G12 ist ein extrem leistungsstarker Leistungs-Schottky-Gleichrichter der mit Substrat Siliciumcarbid hergestellt wurde. Die Breitbandlücke des Materials ermöglicht das Design eines niedrigen VF-Schottky Dioden-Aufbaud mit 1.200-V-Nennspannung. Dank des Schottky-Aufbaus wird beim Ausschalten keine Sperrverzögerung gezeigt und Überschwingmuster sind vernachlässigbar. Das minimale kapazitive Abschaltverhalten ist temperaturunabhängig .