STW48N60DM2

STMicroelectronics
511-STW48N60DM2
STW48N60DM2

Herst.:

Beschreibung:
MOSFETs N-channel 600 V, 0.065 Ohm typ., 40 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-247 packag

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STMicroelectronics
Produktkategorie: MOSFETs
RoHS:  
- 55 C
+ 150 C
STW48N60DM2
Tube
Marke: STMicroelectronics
Kanalmodus: Enhancement
Konfiguration: Single
Land der Bestückung: Not Available
Land der Verbreitung: Not Available
Ursprungsland: SG
Abfallzeit: 9.8 ns
Id - Drain-Gleichstrom: 40 A
Montageart: Through Hole
Anzahl der Kanäle: 1 Channel
Verpackung/Gehäuse: TO-247-3
Pd - Verlustleistung: 300 W
Produkt-Typ: MOSFETs
Qg - Gate-Ladung: 70 nC
Rds On - Drain-Source-Widerstand: 65 mOhms
Anstiegszeit: 27 ns
Verpackung ab Werk: 600
Unterkategorie: Transistors
Technologie: Si
Handelsname: MDmesh
Transistorpolung: N-Channel
Transistorart: 1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit: 131 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit: 27 ns
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung: 600 V
Vgs - Gate-Source-Spannung: - 25 V, 25 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung: 3 V
Gewicht pro Stück: 6 g
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Ausgewählte Attribute: 0

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99