Scheinbar haben Sie Javascript in Ihrem Browser deaktiviert. Einige Funktionen auf dieser Seite funktionieren nur, wenn Sie sich anmelden.

Wird ein Fehler angezeigt?

STW56N60DM2

Name: STMicroelectronics STW56N60DM2
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STW56N60DM2
Price: 7.55 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

511-STW56N60DM2

Herst.- Nr.:

STW56N60DM2

Herst.:

STMicroelectronics

Beschreibung:

MOSFETs N-channel 600 V, 0.052 Ohm typ., 50 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-247 packag

Vervollständigen Sie Ihr Design

Datenblatt:

STW56N60DM2 Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

Mehr über

Weitere Informationen zu STMicroelectronics STW56N60DM2

Auf Lager: 280

Lagerbestand:: 280

sofort lieferbar

Ein unerwarteter Fehler ist aufgetreten. Bitte versuchen Sie es später noch einmal.
Auf Bestellung:: 600

erwartet ab 28.05.2027
Lieferzeit ab Hersteller:: 20

Wochen Geschätzte Produktionszeit des Werks für Mengen, die größer als angezeigt sind.

Menge eingeben:

Minimum: 1 Vielfache: 1

Stückpreis:

CHF -.--

Erw. Preis:

CHF -.--

Vorauss. Zolltarif:

Preis (CHF)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
	CHF 7.55	CHF 7.55
	CHF 5.15	CHF 51.50
	CHF 4.25	CHF 425.00
	CHF 3.79	CHF 2’274.00
	CHF 3.54	CHF 4’248.00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	STMicroelectronics
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	Through Hole
Verpackung/Gehäuse:	TO-247-3
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	600 V
Id - Drain-Gleichstrom:	50 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	60 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 25 V, 25 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	3 V
Qg - Gate-Ladung:	90 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	360 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	MDmesh
Verpackung:	Tube
Marke:	STMicroelectronics
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	12 ns
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	60 ns
Serie:	STW56N60DM2
Verpackung ab Werk:	600
Unterkategorie:	Transistors
Regelabschaltverzögerungszeit:	130 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	24 ns
Gewicht pro Stück:	6 g

Produkte gefunden:

Um ähnliche Produkte anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen aus

Um ähnliche Produkte in dieser Kategorie anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen oben aus.

Ausgewählte Attribute: 0

Dokument filtern:

Datenblatt

STW56N60DM2 Datenblatt (PDF)

PCN

Konformitätscodes

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: Singapur
Herstellungsland:: Singapur
Land der Verbreitung:: Nicht lieferbar

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

STx24N60DM2 n-Kanal-, FDmesh II Plus™ Leistungs-MOSFETs

Die STMicroelectronics MDmesh DM2 -Serie ist STs neueste Serie von schnellen Freilaufdioden der 600V Leistungs-MOSFETs, die für ZVS-phasenverschobene Brückentopologien optimiert sind. Sie weisen eine sehr niedrige Wiederherstellungsladung und -zeit (Qrr, trr) auf und zeigen einen um 20% niedrigeren R_DS(on), verglichen mit der vorhergehenden Generation. Hohe dV/dt-Robustheit (40V/ns) stellt eine verbesserte Systemzuverlässigkeit sicher.
Weitere Informationen