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STWA48N60M2

Name: STMicroelectronics STWA48N60M2
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STWA48N60M2
Price: 6.77 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

511-STWA48N60M2

Herst.- Nr.:

STWA48N60M2

Herst.:

STMicroelectronics

Beschreibung:

MOSFETs N-channel 600 V, 60 mOhm typ., 42 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-247 long lead

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Datenblatt:

STWA48N60M2 Datenblatt (PDF)

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	STMicroelectronics
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Montageart:	Through Hole
Verpackung/Gehäuse:	TO-247-3
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	650 V
Id - Drain-Gleichstrom:	42 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	70 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 25 V, 25 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	2 V
Qg - Gate-Ladung:	70 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	300 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	MDmesh
Marke:	STMicroelectronics
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	119 ns
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	17 ns
Serie:	STWA48N60M2
Verpackung ab Werk:	600
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	13 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	18.5 ns
Gewicht pro Stück:	6 g

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Datenblatt

STWA48N60M2 Datenblatt (PDF)

Konformitätscodes

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8542310000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8542310302
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: China
Herstellungsland:: Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:: Nicht lieferbar

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

MDmesh™ II Leistungs-MOSFETs

STMicroelectronics MDmesh™ II Leistungs-MOSFETs verbinden eine vertikale Struktur mit STMs Streifenlayout für eines der branchenweit niedrigsten Niveaus an On-Widerstand und Gate-Ladung, wodurch die Komponenten den höchsten Ansprüchen von Wandlern mit hohem Wirkungsgrad gerecht werden. Diese MDmesh™ II Leistungs-MOSFETs sind vollständig isoliert und in einem Niedrigprofilgehäuse mit erhöhtem Kriechstrom vom Pin zur Kühlkörperplatte untergebracht. Sie sind zu 100% Avalanche-getestet und bieten niedrige Eingangskapazität, Gate-Ladung und Gate-Eingangswiderstand.
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