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S34ML02G300TFI003

Name: SkyHigh Memory S34ML02G300TFI003
Brand: SkyHigh Memory
SKU: 727-S34ML02G3TFI003
Price: 4.23 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

727-S34ML02G3TFI003

Herst.- Nr.:

S34ML02G300TFI003

Herst.:

SkyHigh Memory

Beschreibung:

NAND-Flash 0BIT ECC, X8 I/O AND 3V VCC SLC NAND FLASH MEMORY 2KB PAGE SIZE TSOP (2Gb die)

Datenblatt:

S34ML02G300TFI003 Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 1000)
	CHF 3.37	CHF 3'370.00
	CHF 3.20	CHF 6'400.00

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	SkyHigh Memory
Produktkategorie:	NAND-Flash
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	TSOP-I-48
Speichergröße:	2 Gbit
Schnittstellen-Typ:	Parallel
Organisation:	256 M x 8
Timing-Typ:	Asynchronous
Datenbus-Weite:	8 bit
Versorgungsspannung - Min.:	2.7 V
Versorgungsspannung - Max.:	3.6 V
Versorgungsstrom - Max.:	35 mA
Minimale Betriebstemperatur:	- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 85 C
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Max. aktiver Lesestrom:	35 mA
Marke:	SkyHigh Memory
Feuchtigkeitsempfindlich:	Yes
Produkt-Typ:	NAND Flash
Verpackung ab Werk:	1000
Unterkategorie:	Memory & Data Storage

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Datenblatt

S34ML02G300TFI003 Datenblatt (PDF)

PCN

Product Change Notification (PDF)

CAHTS:: 8542320040
USHTS:: 8542320051
MXHTS:: 8542320299
ECCN:: 3A991.b.1.a

S34ML0xGx SLC NAND Flash Memory

SkyHigh Memory S34ML0xGx SLC NAND Flash Memory is the first family of Single-Level Cell (SLC) NAND products using 4x nm floating-gate technology, targeted specifically for data storage in automotive, consumer, and networking applications. The SLC NAND is offered in densities from 1Gb to 8Gb, in 3.0V and 1.8V families that feature high performance, extended temperature range, long-term product support, and stringent reliability demands, such as 1-bit, 4-bit Error Correction Code (ECC). The NAND cell provides the most cost-effective solution for the solid-state mass storage market. The memory is divided into blocks that can be erased independently so it is possible to preserve valid data while old data is erased.