BSS138 RFG

Taiwan Semiconductor
821-BSS138
BSS138 RFG

Herst.:

Beschreibung:
MOSFETs 50V, 0.26A, Single N-Channel Power MOSFET

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Taiwan Semiconductor
Produktkategorie: MOSFETs
Versandbeschränkungen:
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RoHS:  
Si
SMD/SMT
SOT-23-3
N-Channel
1 Channel
50 V
260 mA
2.5 Ohms
- 20 V, 20 V
1.6 V
1 nC
- 55 C
+ 150 C
357 mW
Enhancement
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marke: Taiwan Semiconductor
Konfiguration: Single
Abfallzeit: 48 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.: 0.8 S
Produkt-Typ: MOSFETs
Anstiegszeit: 11 ns
Verpackung ab Werk: 3000
Unterkategorie: Transistors
Transistorart: 1 N-Channe
Regelabschaltverzögerungszeit: 20 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit: 3 ns
Artikel # Aliases: BSS138
Gewicht pro Stück: 8 mg
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Ausgewählte Attribute: 0

Konformitätscodes
CNHTS:
8541210000
USHTS:
8541210095
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99
Ursprungsklassifikationen
Ursprungsland:
China
Herstellungsland:
Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:
Nicht lieferbar
Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

BSSx N-Channel & P-Channel Power MOSFETs

Taiwan Semiconductor BSSx N-Channel and P-Channel Power MOSFETs feature a low drain-source on-state resistance (RDS(ON)), that minimizes conductive losses. The N-channel power MOSFETs enable a low gate charge for fast power switching. The BSSx power MOSFETs operate from -55°C to 150°C temperature range. These N-channel power MOSFETs are ideal for low side load switching, level shift circuits, and general switch circuits.