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BSS84 RFG

Name: Taiwan Semiconductor BSS84 RFG
Brand: Taiwan Semiconductor
SKU: 821-BSS84
Price: 0.18 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

821-BSS84

Herst.- Nr.:

BSS84 RFG

Herst.:

Taiwan Semiconductor

Beschreibung:

MOSFETs -60, -0.15, Single P-Channel

Datenblatt:

BSS84 RFG Datenblatt

ECAD Model:

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Cut-Tape

MouseReel™ (+CHF 7.00)

Preis (CHF)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	CHF 0.183	CHF 0.18
	CHF 0.109	CHF 1.09
	CHF 0.068	CHF 6.80
	CHF 0.05	CHF 25.00
	CHF 0.043	CHF 43.00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)
	CHF 0.036	CHF 108.00
	CHF 0.031	CHF 186.00
	CHF 0.026	CHF 234.00
	CHF 0.022	CHF 528.00

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von CHF 7.00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Taiwan Semiconductor
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	SOT-23-3
Transistorpolung:	P-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	60 V
Id - Drain-Gleichstrom:	150 mA
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	8 Ohms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	2 V
Qg - Gate-Ladung:	1.9 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 155 C
Pd - Verlustleistung:	357 mW
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Taiwan Semiconductor
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	78 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	0.5 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	15 ns
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channe
Regelabschaltverzögerungszeit:	21 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	10 ns
Artikel # Aliases:	BSS84
Gewicht pro Stück:	8 mg

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BSSx N-Channel & P-Channel Power MOSFETs

Taiwan Semiconductor BSSx N-Channel and P-Channel Power MOSFETs feature a low drain-source on-state resistance (R_DS(ON)), that minimizes conductive losses. The N-channel power MOSFETs enable a low gate charge for fast power switching. The BSSx power MOSFETs operate from -55°C to 150°C temperature range. These N-channel power MOSFETs are ideal for low side load switching, level shift circuits, and general switch circuits.