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BSS84W RFG

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

821-BSS84W

Herst.- Nr.:

BSS84W RFG

Herst.:

Taiwan Semiconductor

Beschreibung:

MOSFETs -60, -0.14, Single P-Channel

Lebenszyklus:

Beschränkte Verfügbarkeit:

Diese Teilenummer ist derzeit nicht bei Mouser erhältlich. Das Produkt wird eventuell eingeschränkt vertrieben oder es handelt sich um eine Sonderbestellung ab Werk.

Datenblatt:

BSS84W RFG Datenblatt

ECAD Model:

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Taiwan Semiconductor

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Beschreibung:

MOSFETs -60V, -0.16A, Single P-Channel Small-signal MOSFETs

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Hersteller:	Taiwan Semiconductor
Produktkategorie:	MOSFETs
Versandbeschränkungen:	Mouser verkauft dieses Produkt nicht in Ihre Region.
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	SOT-323-3
Transistorpolung:	P-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	60 V
Id - Drain-Gleichstrom:	140 mA
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	8 Ohms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	2 V
Qg - Gate-Ladung:	1.9 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 155 C
Pd - Verlustleistung:	298 mW
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Taiwan Semiconductor
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	78 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	0.5 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	15 ns
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channe
Regelabschaltverzögerungszeit:	21 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	10 ns
Artikel # Aliases:	BSS84W
Gewicht pro Stück:	6 mg

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Konformitätscodes

CNHTS:: 8541210000
USHTS:: 8541210095
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: China
Herstellungsland:: Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:: Nicht lieferbar

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

BSSx N-Channel & P-Channel Power MOSFETs

Taiwan Semiconductor BSSx N-Channel and P-Channel Power MOSFETs feature a low drain-source on-state resistance (R_DS(ON)), that minimizes conductive losses. The N-channel power MOSFETs enable a low gate charge for fast power switching. The BSSx power MOSFETs operate from -55°C to 150°C temperature range. These N-channel power MOSFETs are ideal for low side load switching, level shift circuits, and general switch circuits.